RMLV0408EGSB-4S2#HA0 데이터 시트
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM 메모리 크기 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 45ns 접근 시간 45ns 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지 32-TSOP II |
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