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RMLV0408EGSA-4S2#KA1

RMLV0408EGSA-4S2#KA1

참조 용

부품 번호 RMLV0408EGSA-4S2#KA1
PNEDA 부품 번호 RMLV0408EGSA-4S2-KA1
설명 IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP
제조업체 Renesas Electronics America
단가 견적 요청
재고 있음 18,456
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 24 - 1월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RMLV0408EGSA-4S2#KA1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RMLV0408EGSA-4S2#KA1
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
RMLV0408EGSA-4S2#KA1, RMLV0408EGSA-4S2#KA1 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 457.54 KB)
PDFRMLV0408EGSB-4S2#HA0 데이터 시트 표지
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RMLV0408EGSA-4S2#KA1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷SRAM
기술SRAM
메모리 크기4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지45ns
접근 시간45ns
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지32-sTSOP

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Maxim Integrated

시리즈

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메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

4Mb (512K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-LPM

공급자 장치 패키지

34-LPM

BR25G128FVM-3GTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.6V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VSSOP, 8-MSOP (0.110", 2.80mm Width)

공급자 장치 패키지

8-MSOP

7164L70TDB

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-55°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

28-CDIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

28-CDIP

AS4C4M32S-6TIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

128Mb (4M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ns

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

86-TSOP II

IS41LV16100B-60KL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM - EDO

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

30ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

42-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

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