SIHS36N50D-E3 데이터 시트
SIHS36N50D-E3 데이터 시트
총 페이지: 8
크기: 169.84 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIHS36N50D-E3
|
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 130mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 125nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3233pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 446W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 SUPER-247™ (TO-274AA) 패키지 / 케이스 TO-247-3 |
