SIHS36N50D-E3
참조 용
| 부품 번호 | SIHS36N50D-E3 |
| PNEDA 부품 번호 | SIHS36N50D-E3 |
| 설명 | MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 9,684 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SIHS36N50D-E3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SIHS36N50D-E3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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SIHS36N50D-E3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 36A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 125nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3233pF @ 100V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 446W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 공급자 장치 패키지 | SUPER-247™ (TO-274AA) |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 114nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4780pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 -55°C ~ 125°C 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SOIC 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 16.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 115mOhm @ 8.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 450pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 65W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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