SIZF920DT-T1-GE3 데이터 시트
SIZF920DT-T1-GE3 데이터 시트
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Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.:
SIZF920DT-T1-GE3
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V 전력-최대 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
