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SIZF920DT-T1-GE3

SIZF920DT-T1-GE3

참조 용

부품 번호 SIZF920DT-T1-GE3
PNEDA 부품 번호 SIZF920DT-T1-GE3
설명 MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR 6X5
제조업체 Vishay Siliconix
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재고 있음 2,700
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

SIZF920DT-T1-GE3 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SIZF920DT-T1-GE3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
SIZF920DT-T1-GE3, SIZF920DT-T1-GE3 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 270.65 KB)
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  • SIZF920DT-T1-GE3 Distributor

SIZF920DT-T1-GE3 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈TrenchFET® Gen IV
FET 유형2 N-Channel (Dual), Schottky
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V, 125nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V
전력-최대3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-PowerPair® (6x5)

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

22mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

865pF @ 15V

전력-최대

3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

FDMC6890NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

68mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

270pF @ 10V

전력-최대

1.92W, 1.78W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

MicroFET 3x3mm

2N7002DWA-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

180mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 115mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.87nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

22pF @ 25V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

JAN2N7335

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/599

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

750mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.4Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

-

IRFHS9351TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 25V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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