Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
수백만 개의 전자 부품 재고 있음. 24 시간 이내에 가격 및 리드 타임 견적.

SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트

SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트
총 페이지: 10
크기: 265.37 KB
Vishay Siliconix
이 데이터 시트는 1 부품 번호를 다룹니다.: SQJ914EP-T1_GE3
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 1
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 2
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 3
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 4
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 5
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 6
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 7
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 8
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 9
SQJ914EP-T1_GE3 데이터 시트 페이지 10
SQJ914EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1110pF @ 15V

전력-최대

27W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual