SQJ914EP-T1_GE3
참조 용
부품 번호 | SQJ914EP-T1_GE3 |
PNEDA 부품 번호 | SQJ914EP-T1_GE3 |
설명 | MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8 |
제조업체 | Vishay Siliconix |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 5,706 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
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SQJ914EP-T1_GE3 리소스
브랜드 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SQJ914EP-T1_GE3 |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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SQJ914EP-T1_GE3 사양
제조업체 | Vishay Siliconix |
시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
FET 기능 | Standard |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 30A (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 4.5A, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 25nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1110pF @ 15V |
전력-최대 | 27W (Tc) |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | PowerPAK® SO-8 Dual |
공급자 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 Dual |
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