ZXMC4A16DN8TA 데이터 시트
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250mA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 전력-최대 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250mA (Min) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 770pF @ 40V, 1000pF @ 20V 전력-최대 2.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
