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ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

참조 용

부품 번호 ZXMC4A16DN8TC
PNEDA 부품 번호 ZXMC4A16DN8TC
설명 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
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재고 있음 7,884
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 25 - 11월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMC4A16DN8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMC4A16DN8TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMC4A16DN8TC, ZXMC4A16DN8TC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 187.17 KB)
PDFZXMC4A16DN8TA 데이터 시트 표지
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ZXMC4A16DN8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250mA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
전력-최대2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Renesas Electronics America

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.6A, 5.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

900pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

APTM50AM24SG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 6mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

434nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

19600pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

SI4972DY-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.8A, 7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1080pF @ 15V

전력-최대

3.1W, 2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

QJD1210SB1

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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