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ZXMC4A16DN8TC

ZXMC4A16DN8TC

참조 용

부품 번호 ZXMC4A16DN8TC
PNEDA 부품 번호 ZXMC4A16DN8TC
설명 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
제조업체 Diodes Incorporated
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 9 - 3월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ZXMC4A16DN8TC 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ZXMC4A16DN8TC
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
ZXMC4A16DN8TC, ZXMC4A16DN8TC 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 187.17 KB)
PDFZXMC4A16DN8TA 데이터 시트 표지
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ZXMC4A16DN8TC 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형N and P-Channel Complementary
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250mA (Min)
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs17nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
전력-최대2.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.63A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

550pF @ 10V

전력-최대

1.16W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SIA928DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 15V

전력-최대

7.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

APTM50A15FT1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

25A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

170nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5448pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

UPA2386T1P-E1-A

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

NTJD2152PT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 570mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

225pF @ 8V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

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