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FP35R12W2T4B11BOMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 35A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Three Phase Inverter
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 54A
• 전력-최대: 215W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 35A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: Yes
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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FF200R12KT4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 200A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: C
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Half Bridge
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 320A
• 전력-최대: 1100W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

BSM200GB60DLCHOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 230A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• IGBT 유형: -
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 230A
• 전력-최대: 730W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A
• 전류-수집기 차단 (최대): 500µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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APT150GN60JDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 220A 536W SOT227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 220A
• 전력-최대: 536W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A
• 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.2nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: ISOTOP
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®

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IXGN120N60A3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 200A 600V SOT-227B

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: GenX3™
• IGBT 유형: PT
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
• 전력-최대: 595W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
• 전류-수집기 차단 (최대): 650µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 14.8nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: SOT-227B

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IXDN75N120

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 150A SOT-227B

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: -
• IGBT 유형: NPT
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
• 전력-최대: 660W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
• 전류-수집기 차단 (최대): 4mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 5.5nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: SOT-227B

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DDB6U84N16RRBOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1600V 60A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• IGBT 유형: NPT
• 구성: Single Chopper
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
• 전력-최대: 350W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 50A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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MG12400D-BN2MM

Littelfuse

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 580A 1925W PKG D

• 제조업체: Littelfuse Inc.
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Half Bridge
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 580A
• 전력-최대: 1925W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 400A (Typ)
• 전류-수집기 차단 (최대): 2mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 28nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: D3

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MG12150W-XN2MM

Littelfuse

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MOD 1200V 150A PKG W CRCT:X

• 제조업체: Littelfuse Inc.
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Three Phase Inverter
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
• 전력-최대: 625W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 150A (Typ)
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 10.5nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: Yes
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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FS75R12KT4B15BOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 75A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Three Phase Inverter
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
• 전력-최대: 385W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 4.3nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: Yes
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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FF200R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 200A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: C
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Half Bridge
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 260A
• 전력-최대: 680W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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VS-GB90DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 149A 862W SOT-227

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• IGBT 유형: NPT
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 149A
• 전력-최대: 862W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.8V @ 15V, 75A
• 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: SOT-227

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APT150GN120JDQ4

Microsemi

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 215A 625W SOT227

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 215A
• 전력-최대: 625W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
• 전류-수집기 차단 (최대): 300µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 9.5nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: ISOTOP®

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VS-CPV364M4FPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• IGBT 유형: -
• 구성: -
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 27A
• 전력-최대: 63W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 15A
• 전류-수집기 차단 (최대): 250µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 2.2nF @ 30V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 19-SIP (13 Leads), IMS-2
• 공급자 장치 패키지: IMS-2

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IXDN55N120D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: -
• IGBT 유형: NPT
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
• 전력-최대: 450W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 55A
• 전류-수집기 차단 (최대): 3.8mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 3.3nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: SOT-227B

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FZ900R12KE4HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 1200V 900A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: C
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 900A
• 전력-최대: 4300W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 900A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 56nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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FF400R06KE3HOSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT MODULE 600V 400A

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: C
• IGBT 유형: Trench Field Stop
• 구성: Half Bridge
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 500A
• 전력-최대: 1250W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A
• 전류-수집기 차단 (최대): 5mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: -
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Module
• 공급자 장치 패키지: Module

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VS-GA250SA60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT 600V 400A SOT227

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• IGBT 유형: -
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
• 전력-최대: 961W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.66V @ 15V, 200A
• 전류-수집기 차단 (최대): 1mA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 16.25nF @ 30V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4
• 공급자 장치 패키지: SOT-227

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IXYN100N120C3H1

IXYS

트랜지스터-IGBT-모듈

IGBT XPT 1200V 134A SOT-227B

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: XPT™, GenX3™
• IGBT 유형: -
• 구성: Single
• 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
• 전류-수집기 (Ic) (최대): 134A
• 전력-최대: 690W
• Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 100A
• 전류-수집기 차단 (최대): 50µA
• 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce: 6nF @ 25V
• 입력: Standard
• NTC 서미스터: No
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC
• 공급자 장치 패키지: SOT-227B

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IRAM630-1062F2

Infineon Technologies

파워 드라이버 모듈

MOD IPM PWR HYBRID

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAMS06UP60B

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MODULE BRIDGE DRIVER SMD

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAMS06UP60A-2

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MODULE BRIDGE DRIVER SMD

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAM136-1561A2

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAM136-1060BS

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAM136-1060B

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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IRAM136-1060A

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MOD IPM INVERTER 3PHASE

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: *
• 유형: -
• 구성: -
• 현재: -
• 전압: -
• 전압-절연: -
• 패키지 / 케이스: -

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STK5MFU3C1A-E

ON Semiconductor

파워 드라이버 모듈

MOD IPM 30A 600V 2-IN-1 23SIP

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• 유형: IGBT
• 구성: 3 Phase
• 현재: 53A
• 전압: 600V
• 전압-절연: 2000Vrms
• 패키지 / 케이스: 28-PowerSIP Module, 23 Leads, Formed Leads

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PSS50SA2FT

Powerex Inc.

파워 드라이버 모듈

MOD IPM 6-PAC 50A 1200V DIP

• 제조업체: Powerex Inc.
• 시리즈: -
• 유형: IGBT
• 구성: 3 Phase
• 현재: 50A
• 전압: 1.2kV
• 전압-절연: 2500Vrms
• 패키지 / 케이스: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm)

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PSS35SA2FT

Powerex Inc.

파워 드라이버 모듈

MOD IPM 6-PAC 35A 1200V DIP

• 제조업체: Powerex Inc.
• 시리즈: -
• 유형: IGBT
• 구성: 3 Phase
• 현재: 35A
• 전압: 1.2kV
• 전압-절연: 2500Vrms
• 패키지 / 케이스: 42-PowerDip Module (1.404", 35.67mm)

견적 요청

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STGIPS20C60-H

STMicroelectronics

파워 드라이버 모듈

MOD IPM SLLIMM 20A 600V 25SDIP

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SLLIMM™
• 유형: IGBT
• 구성: 3 Phase
• 현재: 20A
• 전압: 600V
• 전압-절연: 2500Vrms
• 패키지 / 케이스: 25-PowerDIP Module (0.993", 25.23mm)

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