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VS-80APS08-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io): 80A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.17V @ 80A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 800V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

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VS-1N3891R

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 12A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 12A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 300ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AA
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

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VS-25FR60

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 25A DO203AA

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io): 25A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 78A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AA
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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DSAI17-16A

IXYS

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 1.6KV 25A DO203

• 제조업체: IXYS
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Avalanche
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1600V
• 전류-평균 정류 (Io): 25A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.36V @ 55A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 1600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AA
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 180°C

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VS-70HFR80

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io): 70A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 220A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 9mA @ 800V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AB
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 180°C

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VS-71HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 70A DO203AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 70A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 220A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 15mA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AB
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 180°C

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VS-60EPF06PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io): 60A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 60A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 180ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-2
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC Modified
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

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VS-40HFR120

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 40A DO203AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 40A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 125A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 9mA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AB
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 190°C

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1N5550

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 3A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 9A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 2µs
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: B, Axial
• 공급자 장치 패키지: -
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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VS-80PFR80

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 80A DO203AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
• 전류-평균 정류 (Io): 80A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 220A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: -
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AB, DO-5, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AB (DO-5)
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 180°C

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1N5614

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 1A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 2µs
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: A, Axial
• 공급자 장치 패키지: -
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

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VS-25F20

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 25A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 78A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 12mA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-203AA
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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RGL34G-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: SUPERECTIFIER®
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 500mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 500mA
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 4pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass)
• 공급자 장치 패키지: DO-213AA (GL34)
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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VS-T70HF40

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 70A D-55

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 70A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 15mA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: D-55 T-Module
• 공급자 장치 패키지: D-55
• 작동 온도-접합: -

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IDH05G120C5XKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolSiC™+
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 5A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.8V @ 5A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 33µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 301pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2-1
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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STPSC10H12GY-TR

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A D2PAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 10A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 60µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: D²PAK
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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SCS206AJHRTLL

Rohm Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO263AB

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 6A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 6A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 219pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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STPSC10H065G-TR

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SILICON 650V 10A D2PAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 10A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.75V @ 10A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 650V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: D²PAK
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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EGL34G-E3/98

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: SUPERECTIFIER®
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io): 500mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 500mA
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 50ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: DO-213AA (Glass)
• 공급자 장치 패키지: DO-213AA (GL34)
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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VS-300U60A

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 300A DO205AB

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 942A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 40mA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-205AB, DO-9, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-205AB, DO-9
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

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VS-80APF12-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 80A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 80A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 480ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-3
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

VS-60EPF12PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 60A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 60A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 480ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-247-2
• 공급자 장치 패키지: TO-247AC Modified
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C

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IDH20G65C6XKSA1

Infineon Technologies

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 41A TO220-2

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 41A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 67µA @ 420V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 970pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: PG-TO220-2
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

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SCS220AJHRTLL

Rohm Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO263AB

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 650V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.55V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 400µA @ 600V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 730pF @ 1V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: TO-263AB
• 작동 온도-접합: 175°C (Max)

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JANS1N5615

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/429
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io): 1A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: A, Axial
• 공급자 장치 패키지: -
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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MBR3545

GeneSiC Semiconductor

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 45V 35A DO4

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
• 전류-평균 정류 (Io): 35A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 680mV @ 35A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1.5mA @ 20V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Chassis, Stud Mount
• 패키지 / 케이스: DO-203AA, DO-4, Stud
• 공급자 장치 패키지: DO-4
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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1N6621US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 440V 1.2A A-MELF

• 제조업체: Microsemi Corporation
• 시리즈: -
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 440V
• 전류-평균 정류 (Io): 1.2A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.4V @ 1.2A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 30ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 440V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 10pF @ 10V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
• 공급자 장치 패키지: A-MELF
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 150°C

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JANTX1N6642US

M/A-Com Technology Solutions

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 75V 300MA D-5D

• 제조업체: M/A-Com Technology Solutions
• 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/578 & /609
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 75V
• 전류-평균 정류 (Io): 300mA
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 100mA
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 5ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 100µA @ 75V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: SQ-MELF, D
• 공급자 장치 패키지: D-5D
• 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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STPSC20H12GY-TR

STMicroelectronics

정류기-싱글

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A D2PAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, ECOPACK®2
• 다이오드 유형: Silicon Carbide Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 20A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 20A
• 속도: No Recovery Time > 500mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 0ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 120µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• 공급자 장치 패키지: D²PAK
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 175°C

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VS-HFA06TB120PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1.2KV 6A TO220AC

• 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
• 시리즈: HEXFRED®
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io): 6A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 3V @ 6A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 80ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1200V
• 커패시턴스 @ Vr, F: -
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: TO-220-2
• 공급자 장치 패키지: TO-220AC
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C

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