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IDH05G120C5XKSA1

IDH05G120C5XKSA1

참조 용

부품 번호 IDH05G120C5XKSA1
PNEDA 부품 번호 IDH05G120C5XKSA1
설명 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220-2
제조업체 Infineon Technologies
단가
1 ---------- $29.9423
100 ---------- $28.5387
250 ---------- $27.1352
500 ---------- $25.7316
750 ---------- $24.5620
1,000 ---------- $23.3924
재고 있음 3,029
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예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IDH05G120C5XKSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IDH05G120C5XKSA1
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글

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  • IDH05G120C5XKSA1 Distributor

IDH05G120C5XKSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈CoolSiC™+
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)5A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.8V @ 5A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr33µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F301pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-2
공급자 장치 패키지PG-TO220-2-1
작동 온도-접합-55°C ~ 175°C

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전류-평균 정류 (Io)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

910mV @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

1mA @ 100V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

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다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

150V

전류-평균 정류 (Io)

5A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

950mV @ 5A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

300µA @ 150V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

20V

전류-평균 정류 (Io)

4A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

420mV @ 4A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 20V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AB, SMC

공급자 장치 패키지

DO-214AB (SMC)

작동 온도-접합

-55°C ~ 125°C

SBRT15U50SP5-13D

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제조업체

Diodes Incorporated

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

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전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

470mV @ 15A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

500µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Surface Mount

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PowerDI™ 5

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제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

200V

전류-평균 정류 (Io)

3A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 3A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

7.5µs

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 200V

커패시턴스 @ Vr, F

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장착 유형

Through Hole

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