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부품 번호	설명	재고 있음
2N1485 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음31
2N1483 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음148
JAN2N3740 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음951
JAN2N1893S Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 0.5A TO-39 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 3W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음357
JANTX2N2605 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.03A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)	재고 있음3,956
JANTX2N3741 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 4A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V 전력-최대: 25W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2 공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)	재고 있음265
2N2945A Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음282
JAN2N2605 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.03A TO46 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA 전류-수집기 차단 (최대): 10nA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V 전력-최대: 400mW 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-46-3	재고 있음4,746
2N3725L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 50V 500MA 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음206
2N3743 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 PNP TRANSISTOR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음31
2N3468 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 NPN POWER SILICON TRANSISTORS 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음251
2N3735L Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 40V 1.5A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음214
BU806 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 60W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음67
2N699 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 2µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39	재고 있음289
JANTX2N6274 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 50A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음82
JANS2N5339U3 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 5A SMD5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/560 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 5-SMD 공급자 장치 패키지: SMD5	재고 있음226
JANTXV2N5745 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 20A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V 전력-최대: 5W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음116
JANTX2N6052 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)	재고 있음160
JANTX2N3868 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 0.003A TO-5 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-5	재고 있음210
JAN2N3501 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 0.3A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)	재고 있음4,944
JANTX2N3739 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 1A TO-66 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V 전력-최대: 20W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음39
JANTX2N6251 Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 350V 10A TO-3 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V 전력-최대: 5.5W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음208
2N5308 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V 전력-최대: 625mW 주파수-전환: 60MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음259,670
MJH6287G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 20A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V 전력-최대: 160W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음1,484
HT32A Littelfuse	사이리스터-DIAC, SIDAC DIAC 28-36V 2A DO35 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 28 ~ 36V 현재-브레이크 오버: 15µA 전류-홀드 (Ih) (최대): - 전류-피크 출력: 2A 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35	재고 있음46
HT40 Littelfuse	사이리스터-DIAC, SIDAC DIAC 35-45V 2A DO35 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 35 ~ 45V 현재-브레이크 오버: 15µA 전류-홀드 (Ih) (최대): - 전류-피크 출력: 2A 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial 공급자 장치 패키지: DO-35	재고 있음4,907
LIC01-215B-TR STMicroelectronics	사이리스터-DIAC, SIDAC IC LIGHT IGNITION CIRCUIT I-PAK 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 215 ~ 255V 현재-브레이크 오버: 500µA 전류-홀드 (Ih) (최대): 50mA 전류-피크 출력: 1.2A 작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: DPAK	재고 있음116
K2000E70 Littelfuse	사이리스터-DIAC, SIDAC SIDAC 190-215V 1A TO92 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 190 ~ 215V 현재-브레이크 오버: 10µA 전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA 전류-피크 출력: 1A 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음13,125
K1200GRP Littelfuse	사이리스터-DIAC, SIDAC SIDAC 110-125V 1A DO15 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 110 ~ 125V 현재-브레이크 오버: 10µA 전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA 전류-피크 출력: 1A 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-15	재고 있음5,795
K2401GL Littelfuse	사이리스터-DIAC, SIDAC SIDAC MP 220-250V H.V. DO15 제조업체: Littelfuse Inc. 시리즈: - 전압-브레이크 오버: 220 ~ 250V 현재-브레이크 오버: 10µA 전류-홀드 (Ih) (최대): 30mA 전류-피크 출력: 1A 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-15	재고 있음6,159

2N1485

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음31

2N1483

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음148

JAN2N3740

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음951

JAN2N1893S

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 0.5A TO-39

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/182
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 3W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음357

JANTX2N2605

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.03A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46 (TO-206AB)

재고 있음3,956

JANTX2N3741

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 4A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/441
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V
전력-최대: 25W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-213AA, TO-66-2
공급자 장치 패키지: TO-66 (TO-213AA)

재고 있음265

2N2945A

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음282

JAN2N2605

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.03A TO46

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/354
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
전류-수집기 차단 (최대): 10nA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
전력-최대: 400mW
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-46-3

재고 있음4,746

2N3725L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 50V 500MA

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음206

2N3743

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

PNP TRANSISTOR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음31

2N3468

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

NPN POWER SILICON TRANSISTORS

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음251

2N3735L

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 40V 1.5A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음214

BU806

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 60W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음67

2N699

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 2µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39

재고 있음289

JANTX2N6274

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 50A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/514
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 10A, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 20A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음82

JANS2N5339U3

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 5A SMD5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/560
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 5-SMD
공급자 장치 패키지: SMD5

재고 있음226

JANTXV2N5745

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 20A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/433
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V
전력-최대: 5W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음116

JANTX2N6052

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/501
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204AA (TO-3)

재고 있음160

JANTX2N3868

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 0.003A TO-5

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/350
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-5

재고 있음210

JAN2N3501

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 0.3A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/366
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 150mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-39 (TO-205AD)

재고 있음4,944

JANTX2N3739

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 1A TO-66

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/402
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 250mA, 10V
전력-최대: 20W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음39

JANTX2N6251

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 350V 10A TO-3

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/510
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 350V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V
전력-최대: 5.5W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음208

2N5308

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 0.3A TO-92

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 300mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V
전력-최대: 625mW
주파수-전환: 60MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음259,670

MJH6287G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 20A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 200mA, 20A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 750 @ 10A, 3V
전력-최대: 160W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음1,484

HT32A

Littelfuse

사이리스터-DIAC, SIDAC

DIAC 28-36V 2A DO35

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 28 ~ 36V
현재-브레이크 오버: 15µA
전류-홀드 (Ih) (최대): -
전류-피크 출력: 2A
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35

재고 있음46

HT40

Littelfuse

사이리스터-DIAC, SIDAC

DIAC 35-45V 2A DO35

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 35 ~ 45V
현재-브레이크 오버: 15µA
전류-홀드 (Ih) (최대): -
전류-피크 출력: 2A
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지: DO-35

재고 있음4,907

LIC01-215B-TR

STMicroelectronics

사이리스터-DIAC, SIDAC

IC LIGHT IGNITION CIRCUIT I-PAK

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 215 ~ 255V
현재-브레이크 오버: 500µA
전류-홀드 (Ih) (최대): 50mA
전류-피크 출력: 1.2A
작동 온도: -20°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: DPAK

재고 있음116

K2000E70

Littelfuse

사이리스터-DIAC, SIDAC

SIDAC 190-215V 1A TO92

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 190 ~ 215V
현재-브레이크 오버: 10µA
전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA
전류-피크 출력: 1A
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: TO-226-2, TO-92-2 (TO-226AC)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음13,125

K1200GRP

Littelfuse

사이리스터-DIAC, SIDAC

SIDAC 110-125V 1A DO15

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 110 ~ 125V
현재-브레이크 오버: 10µA
전류-홀드 (Ih) (최대): 150mA
전류-피크 출력: 1A
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-15

재고 있음5,795

K2401GL

Littelfuse

사이리스터-DIAC, SIDAC

SIDAC MP 220-250V H.V. DO15

제조업체: Littelfuse Inc.
시리즈: -
전압-브레이크 오버: 220 ~ 250V
현재-브레이크 오버: 10µA
전류-홀드 (Ih) (최대): 30mA
전류-피크 출력: 1A
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-15

재고 있음6,159

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