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APT12031JFLL Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 365nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9480pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 690AW (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: ISOTOP® 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,453
MPF960 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-92-3 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	재고 있음1,650
IRFM460 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-254AA 패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)	재고 있음391
IXFN50N120SIC IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 20V Vgs (최대): +20V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 1000V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음787
IXFX38N80Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 735W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음117
IXTX20N150 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음201
IXTN36N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400W (Tc) 작동 온도: - 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음101
IXFK32N100Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-264AA (IXFK) 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음182
IXFN210N20P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 188A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1070W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음133
IXFX32N100Q3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,279
IXFN55N50F IXYS-RF	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B 제조업체: IXYS-RF 시리즈: HiPerRF™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음223
IXFB70N60Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 265nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 890W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PLUS264™ 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA	재고 있음44
IXFN56N90P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: Polar™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 3mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1000W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음5,971
IXFN50N80Q2 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1135W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음14
IXTT1N450HV IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 1A TO268 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 520W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-268 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	재고 있음160
APTM10UM01FAG Microsemi	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 860A SP6 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2100nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2500W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SP6 패키지 / 케이스: SP6	재고 있음177
IXFN80N50 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9890pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음41
EPC8009 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 65V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 32.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,960
SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 제조업체: Vishay Siliconix 시리즈: TrenchFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음4,683
AUIRFS4127 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 200V 72A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5380pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,589
IXFN110N60P3 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 90A SOT227 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™, Polar3™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1500W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음41
EPC8010 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.48nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음1,642
IXTL2N450 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 220W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™ 패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™	재고 있음1,710
IXTF1N450 IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 160W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™ 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)	재고 있음7,246
IXFN60N80P IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: PolarHV™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1040W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음87
IXFN360N10T IXYS	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 505nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 830W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 공급자 장치 패키지: SOT-227B 패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC	재고 있음1,567
EPC2012C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (4-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음1,650
EPC2039 EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 80V BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,786
EPC2014C EPC	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE 제조업체: EPC 시리즈: eGaN® FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V Vgs (최대): +6V, -4V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar) 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,381
JANTX2N6989U Microsemi	트랜지스터-양극 (BJT)-어레이 TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559 트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad) 전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 20-CLCC 공급자 장치 패키지: 20-CLCC	재고 있음183

APT12031JFLL

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 365nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9480pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 690AW (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: ISOTOP®
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,453

MPF960

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-92-3
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

재고 있음1,650

IRFM460

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 19A TO-254AA

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-254AA
패키지 / 케이스: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)

재고 있음391

IXFN50N120SIC

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 47A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 20V
Vgs (최대): +20V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 1000V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음787

IXFX38N80Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 735W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음117

IXTX20N150

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 20A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 215nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음201

IXTN36N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 36A SOT-227

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400W (Tc)
작동 온도: -
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음101

IXFK32N100Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-264AA (IXFK)
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음182

IXFN210N20P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 188A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 255nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1070W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음133

IXFX32N100Q3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9940pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,279

IXFN55N50F

IXYS-RF

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B

제조업체: IXYS-RF
시리즈: HiPerRF™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 195nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음223

IXFB70N60Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 265nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 890W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PLUS264™
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA

재고 있음44

IXFN56N90P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: Polar™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 375nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 23000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1000W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음5,971

IXFN50N80Q2

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 260nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1135W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음14

IXTT1N450HV

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 1A TO268

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 520W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-268
패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

재고 있음160

APTM10UM01FAG

Microsemi

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2100nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 60000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2500W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SP6
패키지 / 케이스: SP6

재고 있음177

IXFN80N50

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 66A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 380nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9890pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음41

EPC8009

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 65V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.45nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 52pF @ 32.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,960

SUD50N04-8M8P-4GE3

Vishay Siliconix

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 14A TO-252

제조업체: Vishay Siliconix
시리즈: TrenchFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음4,683

AUIRFS4127

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 200V 72A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 72A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5380pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,589

IXFN110N60P3

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™, Polar3™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 245nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1500W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음41

EPC8010

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GAN TRANS 100V 2.7A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.48nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음1,642

IXTL2N450

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 2A I5PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 156nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 220W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUSi5-Pak™
패키지 / 케이스: ISOPLUSi5-Pak™

재고 있음1,710

IXTF1N450

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 4500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 6.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 160W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)

재고 있음7,246

IXFN60N80P

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: PolarHV™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 53A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 8mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 250nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 18000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1040W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음87

IXFN360N10T

IXYS

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 360A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 505nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 36000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 830W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
공급자 장치 패키지: SOT-227B
패키지 / 케이스: SOT-227-4, miniBLOC

재고 있음1,567

EPC2012C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.3nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (4-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음1,650

EPC2039

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 80V BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,786

EPC2014C

EPC

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

제조업체: EPC
시리즈: eGaN®
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.5nC @ 5V
Vgs (최대): +6V, -4V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,381

JANTX2N6989U

Microsemi

트랜지스터-양극 (BJT)-어레이

TRANS 4NPN 50V 0.8A 20CLCC

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Military, MIL-PRF-19500/559
트랜지스터 유형: 4 NPN (Quad)
전류-수집기 (Ic) (최대): 800mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 20-CLCC
공급자 장치 패키지: 20-CLCC

재고 있음183

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