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FGH50T65UPD
FGH50T65UPD

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 100A 340W TO-247AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 340W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 740µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 230nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 32ns/160ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 53ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음4,081
FGA50N100BNTDTU
FGA50N100BNTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1000V 50A 156W TO3P

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT and Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1000V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 156W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 275nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): 1.5µs
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음1,240
AIKW20N60CTXKSA1
AIKW20N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 166W
  • 에너지 전환: 310µJ (on), 460µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 120nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/199ns
  • 테스트 조건: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
재고 있음1,676
APT65GP60B2G
APT65GP60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 833W TMAX

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: POWER MOS 7®
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 250A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A
  • 전력-최대: 833W
  • 에너지 전환: 605µJ (on), 896µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 210nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/91ns
  • 테스트 조건: 400V, 65A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음250
APT75GN120LG
APT75GN120LG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 200A 833W TO264

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • 전력-최대: 833W
  • 에너지 전환: 8620µJ (on), 11400µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 425nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/620ns
  • 테스트 조건: 800V, 75A, 1Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]
재고 있음97
FGL35N120FTDTU
FGL35N120FTDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 70A 368W TO264

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 35A
  • 전력-최대: 368W
  • 에너지 전환: 2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 210nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/172ns
  • 테스트 조건: 600V, 35A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 337ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-264-3
재고 있음461
IRG4PH50KDPBF
IRG4PH50KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 200W
  • 에너지 전환: 3.83mJ (on), 1.9mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 180nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 87ns/140ns
  • 테스트 조건: 800V, 24A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 90ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
재고 있음90
IRG7PH35UDPBF
IRG7PH35UDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 180W TO247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 180W
  • 에너지 전환: 1.06mJ (on), 620µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 85nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/160ns
  • 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 105ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
재고 있음1,715
STGW80V60DF
STGW80V60DF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 469W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 80A
  • 전력-최대: 469W
  • 에너지 전환: 1.8mJ (on), 1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 448nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 60ns/220ns
  • 테스트 조건: 400V, 80A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 60ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3 Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음146
IRGP4640DPBF
IRGP4640DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 250W TO247AD

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 115µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 75nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/104ns
  • 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 89ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD
재고 있음5,914
STGW40V60DLF
STGW40V60DLF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 283W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 283W
  • 에너지 전환: 411µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 226nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/208ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음367
IXGH36N60B3C1

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 75A 250W TO247

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 390µJ (on), 800µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 80nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/125ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)
재고 있음38,621
IRGPS46160DPBF
IRGPS46160DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 240A 750W SUPER247

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 360A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 120A
  • 전력-최대: 750W
  • 에너지 전환: 5.75mJ (on), 3.43mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 240nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 80ns/190ns
  • 테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 130ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: SUPER-247™ (TO-274AA)
재고 있음77
STGY50NC60WD
STGY50NC60WD

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 110A 278W MAX247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: PowerMESH™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 278W
  • 에너지 전환: 365µJ (on), 560µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 195nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 52ns/240ns
  • 테스트 조건: 390V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 55ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: MAX247™
재고 있음3,780
APT33GF120BRG
APT33GF120BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 52A 297W TO247

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: NPT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 52A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 104A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 297W
  • 에너지 전환: 2.8mJ (on), 2.8mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 170nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/210ns
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
재고 있음819
IXYH40N120B3D1

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 86A 480W TO247

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™, XPT™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 86A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 480W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 1.6mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 87nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/177ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 100ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXYH)
재고 있음276
IRG4PC50KDPBF
IRG4PC50KDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 52A 200W TO247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 52A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 104A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 200W
  • 에너지 전환: 1.61mJ (on), 840µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 63ns/150ns
  • 테스트 조건: 480V, 30A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 50ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
재고 있음7,176
IXXH80N65B4H1

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 160A 625W TO247AD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX4™, XPT™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 430A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
  • 전력-최대: 625W
  • 에너지 전환: 3.77mJ (on), 1.2mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 120nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 38ns/120ns
  • 테스트 조건: 400V, 80A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)
재고 있음5,499
NGTB40N120FL3WG
NGTB40N120FL3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 1.6mJ (on), 1.1mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 212nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/145ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 136ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음35,239
STGW30NC60KD
STGW30NC60KD

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 200W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: PowerMESH™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 125A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 200W
  • 에너지 전환: 350µJ (on), 435µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 96nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/120ns
  • 테스트 조건: 480V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 40ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음793
STGW35NB60SD
STGW35NB60SD

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 200W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: PowerMESH™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 250A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 200W
  • 에너지 전환: 840µJ (on), 7.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 83nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 92ns/1.1µs
  • 테스트 조건: 480V, 20A, 100Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 44ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음7
FGH30S130P
FGH30S130P

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1300V 60A 500W TO-247AB

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1300V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 500W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 78nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음218
IKW50N65F5FKSA1
IKW50N65F5FKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: TrenchStop®
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 305W
  • 에너지 전환: 490µJ (on), 160µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 120nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/175ns
  • 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 52ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
재고 있음320
IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20K-SPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 11A 60W D2PAK

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 11A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 22A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.3V @ 15V, 5A
  • 전력-최대: 60W
  • 에너지 전환: 450µJ (on), 440µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 28nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/93ns
  • 테스트 조건: 960V, 5A, 50Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: D2PAK
재고 있음1,925
IGB50N60TATMA1
IGB50N60TATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 100A 333W TO263-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: TrenchStop®
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 333W
  • 에너지 전환: 2.6mJ
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 310nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
재고 있음2,872
IXBH16N170
IXBH16N170

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 40A 250W TO247AD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: BIMOSFET™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 16A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 72nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): 1.32µs
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)
재고 있음272
IRG4PC60FPBF
IRG4PC60FPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 90A 520W TO247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 90A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 360A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 520W
  • 에너지 전환: 300µJ (on), 4.6mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 290nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 42ns/310ns
  • 테스트 조건: 480V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
재고 있음445
IRG4PH50UDPBF
IRG4PH50UDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 200W TO247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 200W
  • 에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 160nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/110ns
  • 테스트 조건: 800V, 24A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 90ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
견적 요청
IKW75N60TFKSA1
IKW75N60TFKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 428W TO247-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: TrenchStop®
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
  • 전력-최대: 428W
  • 에너지 전환: 4.5mJ
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 470nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 33ns/330ns
  • 테스트 조건: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 121ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3
재고 있음4,162
AIKW50N60CTXKSA1
AIKW50N60CTXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IC DISCRETE 600V TO247-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 333W
  • 에너지 전환: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 310nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/299ns
  • 테스트 조건: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
재고 있음6,701