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IXGH24N120C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 48A 250W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns 테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음174,026
IXGH100N30C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 75A 460W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 500A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A 전력-최대: 460W 에너지 전환: 230µJ (on), 520µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 162nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/105ns 테스트 조건: 200V, 50A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음239
IXA45IF1200HB IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 78A 325W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A 전력-최대: 325W 에너지 전환: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 106nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 600V, 35A, 27Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 350ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (HB)	재고 있음357
FGH75T65SQDT-F155 ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 650V 75A FS4 TRENCH IGBT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A 전력-최대: 375W 에너지 전환: 300µJ (on), 70µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 128nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/120ns 테스트 조건: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 76ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음7,307
IXGA24N120C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 48A 250W TO263 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns 테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXGA)	재고 있음298
IXXH30N60C3D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 270W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™, XPT™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A 전력-최대: 270W 에너지 전환: 500µJ (on), 270µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/77ns 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)	재고 있음4,662
STGW80H65FB STMicroelectronics	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 120A 469W TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A 전력-최대: 469W 에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 414nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/280ns 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음33
STGW15M120DF3 STMicroelectronics	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 30A 259W 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A 전력-최대: 259W 에너지 전환: 550µJ (on), 850µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 226nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/122ns 테스트 조건: 600V, 15A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 270ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음190
RJH60F0DPK-00#T0 Renesas Electronics America	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A 전력-최대: 201.6W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns 테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 140ns 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3 공급자 장치 패키지: TO-3P	재고 있음1,526
AOK60B65M3 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 60A TO247 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 60A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 106nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/166ns 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 346ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음3,491
NGTB50N65FL2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 220nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 94ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음1,024
AOK60B65H1 Alpha & Omega Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 60A TO-247 제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈: Alpha IGBT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/153ns 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 288ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음4,117
IXGP30N60C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 60A 220W TO220AB 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A 전력-최대: 220W 에너지 전환: 270µJ (on), 90µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 38nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/42ns 테스트 조건: 300V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,217
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 50A TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 800µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 310nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns 테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 67ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음428
SGP23N60UFDTU ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 23A 100W TO220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 23A 전류-수집기 펄스 (Icm): 92A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A 전력-최대: 100W 에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 49nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns 테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 60ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음445
SGD02N120BUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A 전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A 전력-최대: 62W 에너지 전환: 220µJ 입력 유형: Standard 게이트 차지: 11nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns 테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3	재고 있음6,002
AUIRGPS4070D0 Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 240A 전류-수집기 펄스 (Icm): 360A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A 전력-최대: 750W 에너지 전환: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 250nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/140ns 테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 210ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-274AA 공급자 장치 패키지: PG-TO274-3-903	재고 있음1,956
STGW25H120F2 STMicroelectronics	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A 전력-최대: 375W 에너지 전환: 600µJ (on), 700µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 100nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/130ns 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음146
STGW60H60DLFB STMicroelectronics	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 80A 375W TO-247 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A 전력-최대: 375W 에너지 전환: 626µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 306nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/160ns 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247	재고 있음203
IXBH40N160 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 33A 350W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 33A 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A 전력-최대: 350W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 130nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 960V, 20A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)	재고 있음1,011
APT35GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 96A 543W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 140A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A 전력-최대: 543W 에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 150nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/94ns 테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음403
IXGH40N120C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 380W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 380W 에너지 전환: 1.8mJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/130ns 테스트 조건: 600V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음81,214
IXGF25N250 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A 전력-최대: 114W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 75nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads) 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음746
APT100GN120B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 245A 960W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 245A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A 전력-최대: 960W 에너지 전환: 11mJ (on), 9.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 540nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/615ns 테스트 조건: 800V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음22
APT45GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 100A 625W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A 전류-수집기 펄스 (Icm): 170A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 900µJ (on), 904µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 185nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/102ns 테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음462
IXGH50N90B2D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 75A 400W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFAST™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A 전력-최대: 400W 에너지 전환: 4.7mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 135nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/350ns 테스트 조건: 720V, 50A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 200ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음19,049
HGTG12N60C3D ON Semiconductor	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 24A 104W TO247 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 24A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A 전력-최대: 104W 에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 48nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): 42ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247-3	재고 있음16,686
APT25GP120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 69A 417W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 69A 전류-수집기 펄스 (Icm): 90A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A 전력-최대: 417W 에너지 전환: 500µJ (on), 440µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns 테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음493
IXBH20N360HV IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 3600V 70A TO-247HV 제조업체: IXYS 시리즈: BIMOSFET™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 220A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A 전력-최대: 430W 에너지 전환: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 110nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/238ns 테스트 조건: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 1.7µs 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: TO-247HV	재고 있음111
APT75GN60LDQ3G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 155A 536W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 155A 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A 전력-최대: 536W 에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 485nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns 테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음7,277

IXGH24N120C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 48A 250W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns
테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음174,026

IXGH100N30C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 75A 460W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 500A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
전력-최대: 460W
에너지 전환: 230µJ (on), 520µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 162nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/105ns
테스트 조건: 200V, 50A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음239

IXA45IF1200HB

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 78A 325W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 35A
전력-최대: 325W
에너지 전환: 3.8mJ (on), 4.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 106nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 600V, 35A, 27Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 350ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (HB)

재고 있음357

FGH75T65SQDT-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V 75A FS4 TRENCH IGBT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
전력-최대: 375W
에너지 전환: 300µJ (on), 70µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/120ns
테스트 조건: 400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 76ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음7,307

IXGA24N120C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 48A 250W TO263

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns
테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: TO-263 (IXGA)

재고 있음298

IXXH30N60C3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 270W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™, XPT™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
전력-최대: 270W
에너지 전환: 500µJ (on), 270µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 37nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/77ns
테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)

재고 있음4,662

STGW80H65FB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 469W TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
전력-최대: 469W
에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 414nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/280ns
테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음33

STGW15M120DF3

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 30A 259W

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
전력-최대: 259W
에너지 전환: 550µJ (on), 850µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 226nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 26ns/122ns
테스트 조건: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 270ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음190

RJH60F0DPK-00#T0

Renesas Electronics America

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A 201.6W TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.82V @ 15V, 25A
전력-최대: 201.6W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/70ns
테스트 조건: 400V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 140ns
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지: TO-3P

재고 있음1,526

AOK60B65M3

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A TO247

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 60A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 106nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/166ns
테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 346ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음3,491

NGTB50N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 100ns/237ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 94ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음1,024

AOK60B65H1

Alpha & Omega Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 60A TO-247

제조업체: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈: Alpha IGBT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 60A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 2.42mJ (on), 1.17mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/153ns
테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 288ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음4,117

IXGP30N60C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 220W TO220AB

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
전력-최대: 220W
에너지 전환: 270µJ (on), 90µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 38nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/42ns
테스트 조건: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,217

NGTB50N60L2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 50A TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 800µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 310nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 110ns/270ns
테스트 조건: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 67ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음428

SGP23N60UFDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 23A 100W TO220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 23A
전류-수집기 펄스 (Icm): 92A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 12A
전력-최대: 100W
에너지 전환: 115µJ (on), 135µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/60ns
테스트 조건: 300V, 12A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 60ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음445

SGD02N120BUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 6.2A 62W TO252-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 6.2A
전류-수집기 펄스 (Icm): 9.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 2A
전력-최대: 62W
에너지 전환: 220µJ
입력 유형: Standard
게이트 차지: 11nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 23ns/260ns
테스트 조건: 800V, 2A, 91Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지: PG-TO252-3

재고 있음6,002

AUIRGPS4070D0

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 700V SUPER PG-TO274-3-903

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 240A
전류-수집기 펄스 (Icm): 360A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
전력-최대: 750W
에너지 전환: 5.7mJ (on), 4.2mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 250nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/140ns
테스트 조건: 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 210ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-274AA
공급자 장치 패키지: PG-TO274-3-903

재고 있음1,956

STGW25H120F2

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
전력-최대: 375W
에너지 전환: 600µJ (on), 700µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 100nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/130ns
테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음146

STGW60H60DLFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 375W TO-247

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
전력-최대: 375W
에너지 전환: 626µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 306nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/160ns
테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247

재고 있음203

IXBH40N160

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 33A 350W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 33A
전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 7.1V @ 15V, 20A
전력-최대: 350W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 130nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 960V, 20A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXBH)

재고 있음1,011

APT35GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 96A 543W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A
전력-최대: 543W
에너지 전환: 750µJ (on), 680µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 150nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/94ns
테스트 조건: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음403

IXGH40N120C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 380W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 380W
에너지 전환: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/130ns
테스트 조건: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음81,214

IXGF25N250

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 2500V
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A
전력-최대: 114W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 (3 Leads)
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음746

APT100GN120B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 245A 960W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 245A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
전력-최대: 960W
에너지 전환: 11mJ (on), 9.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 540nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/615ns
테스트 조건: 800V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음22

APT45GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 625W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
전류-수집기 펄스 (Icm): 170A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 900µJ (on), 904µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 185nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/102ns
테스트 조건: 600V, 45A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음462

IXGH50N90B2D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 75A 400W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFAST™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
전력-최대: 400W
에너지 전환: 4.7mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 20ns/350ns
테스트 조건: 720V, 50A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 200ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음19,049

HGTG12N60C3D

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 104W TO247

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 24A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 15A
전력-최대: 104W
에너지 전환: 380µJ (on), 900µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): 42ns
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247-3

재고 있음16,686

APT25GP120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 69A 417W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 69A
전류-수집기 펄스 (Icm): 90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A
전력-최대: 417W
에너지 전환: 500µJ (on), 440µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/70ns
테스트 조건: 600V, 25A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음493

IXBH20N360HV

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 3600V 70A TO-247HV

제조업체: IXYS
시리즈: BIMOSFET™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 3600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 220A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.4V @ 15V, 20A
전력-최대: 430W
에너지 전환: 15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/238ns
테스트 조건: 1500V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 1.7µs
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: TO-247HV

재고 있음111

APT75GN60LDQ3G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 155A 536W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 155A
전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
전력-최대: 536W
에너지 전환: 2500µJ (on), 2140µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 485nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 47ns/385ns
테스트 조건: 400V, 75A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음7,277

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