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IXGK400N30B3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 400A TO264AA 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: - 전력-최대: - 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 (IXGK)	재고 있음196
IXGK400N30A3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 400A 1000W TO264AA 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 400A 전류-수집기 펄스 (Icm): 1200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A 전력-최대: 1000W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 560nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 (IXGK)	재고 있음43
APT80GA90LD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 900V 145A 625W TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V 전류-수집기 (Ic) (최대): 145A 전류-수집기 펄스 (Icm): 239A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 200nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns 테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264	재고 있음1,519
APT102GA60L Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 183A 780W TO264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 183A 전류-수집기 펄스 (Icm): 307A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A 전력-최대: 780W 에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 294nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns 테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음20
IXGX120N60B3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 280A 780W PLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 280A 전류-수집기 펄스 (Icm): 600A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A 전력-최대: 780W 에너지 전환: 2.9mJ (on), 3.5mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 465nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/227ns 테스트 조건: 480V, 100A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3	재고 있음4,731
IXGH40N120B2D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 380W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 380W 에너지 전환: 4.5mJ (on), 3mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 138nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/290ns 테스트 조건: 960V, 40A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음55,807
FID36-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 38A 125W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 38A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A 전력-최대: 125W 에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 50ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음149
APT68GA60LD40 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 121A 520W TO-264 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 8™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 121A 전류-수집기 펄스 (Icm): 202A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A 전력-최대: 520W 에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 198nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns 테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 22ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA 공급자 장치 패키지: TO-264 [L]	재고 있음193
IXGH25N160 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1600V 75A 300W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A 전력-최대: 300W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 84nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음227
FID60-06D IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 65A 200W I4PAC5 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A 전류-수집기 펄스 (Icm): - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 1mJ (on), 1.4mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 120nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: 300V, 30A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: i4-Pac™-5 공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™	재고 있음3,380
IXXH50N60B3D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 120A 600W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™, XPT™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A 전력-최대: 600W 에너지 전환: 670µJ (on), 740µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 70nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/100ns 테스트 조건: 360V, 36A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)	재고 있음135
IXGH40N120C3D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 380W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 180A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A 전력-최대: 380W 에너지 전환: 1.8mJ (on), 550µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 142nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/130ns 테스트 조건: 600V, 30A, 3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 100ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음17,696
APT25GN120B2DQ2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 67A 272W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 67A 전류-수집기 펄스 (Icm): 75A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A 전력-최대: 272W 에너지 전환: 2.15µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 155nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns 테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,224
IXYH30N120C3D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 66A 416W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™, XPT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 66A 전류-수집기 펄스 (Icm): 133A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A 전력-최대: 416W 에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 69nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/130ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 195ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXYH)	재고 있음20
APT100GN60B2G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 229A 625W TMAX 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 229A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A 전력-최대: 625W 에너지 전환: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 600nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns 테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant 공급자 장치 패키지: -	재고 있음42
IXXH75N60C3D1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 150A 750W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™, XPT™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A 전력-최대: 750W 에너지 전환: 1.6mJ (on), 800µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 107nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 25ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음1,060
IXGR40N60B IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 70A 200W ISOPLUS247 제조업체: IXYS 시리즈: HiPerFAST™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 70A 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A 전력-최대: 200W 에너지 전환: 2.7mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 116nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/180ns 테스트 조건: 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOPLUS247™ 공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™	재고 있음499,835
IXGH24N120C3H1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 48A 250W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A 전류-수집기 펄스 (Icm): 96A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 79nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns 테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 70ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음28,176
APT54GA60BD30 Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 96A 416W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 96A 전류-수집기 펄스 (Icm): 161A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A 전력-최대: 416W 에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 28nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns 테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음46
APT13GP120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 41A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns 테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음7,732
IXYH30N120C3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 75A 500W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™, XPT™ IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 145A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A 전력-최대: 500W 에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 69nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/130ns 테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXYH)	재고 있음923
APT30GT60BRG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 64A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: Thunderbolt IGBT® IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 64A 전류-수집기 펄스 (Icm): 110A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 145nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음886
APT15GN120BDQ1G Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 45A 195W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - IGBT 유형: Trench Field Stop 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 45A 전류-수집기 펄스 (Icm): 45A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A 전력-최대: 195W 에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns 테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음16
APT13GP120BG Microsemi	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 41A 250W TO247 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: POWER MOS 7® IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 41A 전류-수집기 펄스 (Icm): 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대: 250W 에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns 테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]	재고 있음1,020
IXXH40N65B4H1 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 650V 120A 455W TO247AD 제조업체: IXYS 시리즈: GenX4™, XPT™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A 전력-최대: 455W 에너지 전환: 1.4mJ (on), 560µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 77nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/144ns 테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 120ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음1,990
IRGP4069D-EPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 76A 268W TO247AD 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 76A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 35A 전력-최대: 268W 에너지 전환: 390µJ (on), 632µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/105ns 테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 120ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음4,647
IXGH10N170A IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1700V 10A 140W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: - IGBT 유형: NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전류-수집기 펄스 (Icm): 20A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A 전력-최대: 140W 에너지 전환: 380µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 29nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/190ns 테스트 조건: 850V, 10A, 22Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음224
IXGH120N30B3 IXYS	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 300V 75A 540W TO247 제조업체: IXYS 시리즈: GenX3™ IGBT 유형: PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V 전류-수집기 (Ic) (최대): 75A 전류-수집기 펄스 (Icm): 480A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A 전력-최대: 540W 에너지 전환: - 입력 유형: Standard 게이트 차지: 225nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: - 테스트 조건: - 역 복구 시간 (trr): - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)	재고 있음19,257
IRG7PH35UD-EP Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 1200V 50A COPAK247 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전류-수집기 펄스 (Icm): 60A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A 전력-최대: 180W 에너지 전환: 1.06mJ (on), 620µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 85nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/160ns 테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 105ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AD	재고 있음2,902
IRGP4650DPBF Infineon Technologies	트랜지스터-IGBT-단일 IGBT 600V 76A 268W TO247AC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - IGBT 유형: - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V 전류-수집기 (Ic) (최대): 76A 전류-수집기 펄스 (Icm): 105A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A 전력-최대: 268W 에너지 전환: 390µJ (on), 632µJ (off) 입력 유형: Standard 게이트 차지: 104nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/105ns 테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr): 120ns 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-247-3 공급자 장치 패키지: TO-247AC	재고 있음421

IXGK400N30B3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 400A TO264AA

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
전력-최대: -
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: -
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 (IXGK)

재고 있음196

IXGK400N30A3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 400A 1000W TO264AA

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 400A
전류-수집기 펄스 (Icm): 1200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.15V @ 15V, 100A
전력-최대: 1000W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 560nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 (IXGK)

재고 있음43

APT80GA90LD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 145A 625W TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
전류-수집기 (Ic) (최대): 145A
전류-수집기 펄스 (Icm): 239A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 1652µJ (on), 1389µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 200nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/149ns
테스트 조건: 600V, 47A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264

재고 있음1,519

APT102GA60L

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 183A 780W TO264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 183A
전류-수집기 펄스 (Icm): 307A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A
전력-최대: 780W
에너지 전환: 1.354mJ (on), 1.614mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 294nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/212ns
테스트 조건: 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음20

IXGX120N60B3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 280A 780W PLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 280A
전류-수집기 펄스 (Icm): 600A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 100A
전력-최대: 780W
에너지 전환: 2.9mJ (on), 3.5mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 465nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 40ns/227ns
테스트 조건: 480V, 100A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: PLUS247™-3

재고 있음4,731

IXGH40N120B2D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 380W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 380W
에너지 전환: 4.5mJ (on), 3mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 138nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/290ns
테스트 조건: 960V, 40A, 2Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음55,807

FID36-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 38A 125W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 38A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
전력-최대: 125W
에너지 전환: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 140nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 300V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 50ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음149

APT68GA60LD40

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 121A 520W TO-264

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 8™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 121A
전류-수집기 펄스 (Icm): 202A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
전력-최대: 520W
에너지 전환: 715µJ (on), 607µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 198nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/133ns
테스트 조건: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 22ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지: TO-264 [L]

재고 있음193

IXGH25N160

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1600V 75A 300W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.7V @ 20V, 100A
전력-최대: 300W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 84nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음227

FID60-06D

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 200W I4PAC5

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
전류-수집기 펄스 (Icm): -
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 1mJ (on), 1.4mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: 300V, 30A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: i4-Pac™-5
공급자 장치 패키지: ISOPLUS i4-PAC™

재고 있음3,380

IXXH50N60B3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 600W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™, XPT™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
전력-최대: 600W
에너지 전환: 670µJ (on), 740µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 70nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 27ns/100ns
테스트 조건: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)

재고 있음135

IXGH40N120C3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 380W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.4V @ 15V, 30A
전력-최대: 380W
에너지 전환: 1.8mJ (on), 550µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 142nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/130ns
테스트 조건: 600V, 30A, 3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 100ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음17,696

APT25GN120B2DQ2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 67A 272W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: NPT, Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 67A
전류-수집기 펄스 (Icm): 75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
전력-최대: 272W
에너지 전환: 2.15µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 155nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 22ns/280ns
테스트 조건: 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,224

IXYH30N120C3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 66A 416W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™, XPT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 66A
전류-수집기 펄스 (Icm): 133A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
전력-최대: 416W
에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 69nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/130ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 195ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXYH)

재고 있음20

APT100GN60B2G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 229A 625W TMAX

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 229A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 100A
전력-최대: 625W
에너지 전환: 4.7mJ (on), 2.675mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 600nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 31ns/310ns
테스트 조건: 400V, 100A, 1Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3 Variant
공급자 장치 패키지: -

재고 있음42

IXXH75N60C3D1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 150A 750W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™, XPT™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
전력-최대: 750W
에너지 전환: 1.6mJ (on), 800µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 107nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 35ns/90ns
테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 25ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음1,060

IXGR40N60B

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 70A 200W ISOPLUS247

제조업체: IXYS
시리즈: HiPerFAST™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 70A
전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
전력-최대: 200W
에너지 전환: 2.7mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 116nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/180ns
테스트 조건: 480V, 40A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지: ISOPLUS247™

재고 있음499,835

IXGH24N120C3H1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 48A 250W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
전류-수집기 펄스 (Icm): 96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 1.16mJ (on), 470µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 79nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/93ns
테스트 조건: 600V, 20A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 70ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음28,176

APT54GA60BD30

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 96A 416W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 96A
전류-수집기 펄스 (Icm): 161A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 32A
전력-최대: 416W
에너지 전환: 534µJ (on), 466µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 28nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 17ns/112ns
테스트 조건: 400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음46

APT13GP120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 41A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns
테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음7,732

IXYH30N120C3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A 500W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™, XPT™
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 145A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 30A
전력-최대: 500W
에너지 전환: 2.6mJ (on), 1.1mJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 69nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/130ns
테스트 조건: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 (IXYH)

재고 있음923

APT30GT60BRG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 64A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: Thunderbolt IGBT®
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 64A
전류-수집기 펄스 (Icm): 110A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 525µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 145nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/225ns
테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음886

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 45A 195W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
IGBT 유형: Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 45A
전류-수집기 펄스 (Icm): 45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
전력-최대: 195W
에너지 전환: 410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 10ns/150ns
테스트 조건: 800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음16

APT13GP120BG

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 41A 250W TO247

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: POWER MOS 7®
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 41A
전류-수집기 펄스 (Icm): 50A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 13A
전력-최대: 250W
에너지 전환: 115µJ (on), 165µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 55nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 9ns/28ns
테스트 조건: 600V, 13A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247 [B]

재고 있음1,020

IXXH40N65B4H1

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 455W TO247AD

제조업체: IXYS
시리즈: GenX4™, XPT™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
전력-최대: 455W
에너지 전환: 1.4mJ (on), 560µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/144ns
테스트 조건: 400V, 40A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 120ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음1,990

IRGP4069D-EPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 76A 268W TO247AD

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 76A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 35A
전력-최대: 268W
에너지 전환: 390µJ (on), 632µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/105ns
테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 120ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음4,647

IXGH10N170A

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 10A 140W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: -
IGBT 유형: NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전류-수집기 펄스 (Icm): 20A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 5A
전력-최대: 140W
에너지 전환: 380µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 29nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/190ns
테스트 조건: 850V, 10A, 22Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음224

IXGH120N30B3

IXYS

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 300V 75A 540W TO247

제조업체: IXYS
시리즈: GenX3™
IGBT 유형: PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
전류-수집기 (Ic) (최대): 75A
전류-수집기 펄스 (Icm): 480A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 120A
전력-최대: 540W
에너지 전환: -
입력 유형: Standard
게이트 차지: 225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
테스트 조건: -
역 복구 시간 (trr): -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD (IXGH)

재고 있음19,257

IRG7PH35UD-EP

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A COPAK247

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전류-수집기 펄스 (Icm): 60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A
전력-최대: 180W
에너지 전환: 1.06mJ (on), 620µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 85nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/160ns
테스트 조건: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 105ns
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AD

재고 있음2,902

IRGP4650DPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 76A 268W TO247AC

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
IGBT 유형: -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
전류-수집기 (Ic) (최대): 76A
전류-수집기 펄스 (Icm): 105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 35A
전력-최대: 268W
에너지 전환: 390µJ (on), 632µJ (off)
입력 유형: Standard
게이트 차지: 104nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/105ns
테스트 조건: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr): 120ns
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-247-3
공급자 장치 패키지: TO-247AC

재고 있음421

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