APT25GN120B2DQ2G
참조 용
| 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G | ||||||||||||||||||
| 설명 | IGBT 1200V 67A 272W TMAX | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Microsemi | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,224 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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APT25GN120B2DQ2G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APT25GN120B2DQ2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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APT25GN120B2DQ2G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | NPT, Trench Field Stop |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 67A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 75A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| 전력-최대 | 272W |
| 에너지 전환 | 2.15µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 155nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 22ns/280ns |
| 테스트 조건 | 800V, 25A, 4.3Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | TO-247-3 Variant |
| 공급자 장치 패키지 | - |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 80A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A 전력-최대 267W 에너지 전환 1.16MJ (on), 270µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 36nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 18ns/35ns 테스트 조건 400V, 40A, 6Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247-3 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 15A 전류-수집기 펄스 (Icm) 15A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 5A 전력-최대 89W 에너지 전환 300µJ (on), 300µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 45nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/160ns 테스트 조건 600V, 5A, 47Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 50ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
