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NGTB40N120L3WG
NGTB40N120L3WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 160A TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 160A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 454W
  • 에너지 전환: 1.5mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 220nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/150ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 86ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음6,193
IXGX120N60A3

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 200A 780W PLUS247

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 600A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A
  • 전력-최대: 780W
  • 에너지 전환: 2.7mJ (on), 6.6mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 450nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 39ns/295ns
  • 테스트 조건: 480V, 100A, 1.5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PLUS247™-3
재고 있음91
STGWA25H120DF2
STGWA25H120DF2

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 375W
  • 에너지 전환: 600µJ (on), 700µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 100nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 29ns/130ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 303ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음3,407
IXGA48N60A3

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 120A 300W TO263AA

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A
  • 전력-최대: 300W
  • 에너지 전환: 950µJ (on), 2.9mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 110nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 25ns/334ns
  • 테스트 조건: 480V, 32A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXGA)
재고 있음4,438
AUIRGP4062D-E
AUIRGP4062D-E

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 250W TO-247AD

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 115µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 50nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/104ns
  • 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 89ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD
재고 있음4,305
STGW25M120DF3
STGW25M120DF3

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 50A 375W

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 100A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 375W
  • 에너지 전환: 850µJ (on), 1.3mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 85nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/150ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 15Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 265ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음445
FGH75T65SHDT-F155
FGH75T65SHDT-F155

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 150A 455W TO-247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 225A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • 전력-최대: 455W
  • 에너지 전환: 3mJ (on), 750µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 123nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 28ns/86ns
  • 테스트 조건: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 76ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음2
APT43GA90B
APT43GA90B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 900V 78A 337W TO-247

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: POWER MOS 8™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 900V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 78A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 129A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 25A
  • 전력-최대: 337W
  • 에너지 전환: 875µJ (on), 425µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 116nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/82ns
  • 테스트 조건: 600V, 25A, 4.7Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
재고 있음314
APT36GA60B
APT36GA60B

Microsemi

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 65A 290W TO-247

  • 제조업체: Microsemi Corporation
  • 시리즈: POWER MOS 8™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 65A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 109A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 290W
  • 에너지 전환: 307µJ (on), 254µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 102nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/122ns
  • 테스트 조건: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 [B]
재고 있음379
NGTB60N65FL2WG
NGTB60N65FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/60A IGBT FSII

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 595W
  • 에너지 전환: 1.59mJ (on), 660µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 318nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 117ns/265ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 96ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음5,533
IXBT16N170A

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1700V 16A 150W TO268

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: BIMOSFET™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1700V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 40A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 6V @ 15V, 10A
  • 전력-최대: 150W
  • 에너지 전환: 1.2mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 65nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 15ns/160ns
  • 테스트 조건: 1360V, 10A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 360ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • 공급자 장치 패키지: TO-268
재고 있음210
IXXH60N65B4H1

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 116A 380W TO247AD

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX4™, XPT™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 116A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 230A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 380W
  • 에너지 전환: 3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 95nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 37ns/145ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 150ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 (IXXH)
재고 있음6,009
IXGP20N120A3

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 180W TO220

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 180W
  • 에너지 전환: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 50nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/290ns
  • 테스트 조건: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음3,081
IKQ75N120CS6XKSA1
IKQ75N120CS6XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 75A TO247-3-46

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: TrenchStop™
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 150A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 300A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
  • 전력-최대: 880W
  • 에너지 전환: 5.15mJ (on), 2.95mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 530nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 34ns/300ns
  • 테스트 조건: 600V, 75A, 4Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 440ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-46
재고 있음1,252
NGTB50N120FL2WG
NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 100A 535W TO247

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 100A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 535W
  • 에너지 전환: 4.4mJ (on), 1.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 311nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 118ns/282ns
  • 테스트 조건: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 256ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음851
IXGA20N120A3

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 40A 180W TO263

  • 제조업체: IXYS
  • 시리즈: GenX3™
  • IGBT 유형: PT
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 40A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A
  • 전력-최대: 180W
  • 에너지 전환: 2.85mJ (on), 6.47mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 50nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 16ns/290ns
  • 테스트 조건: 960V, 20A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263 (IXGA)
재고 있음471
AUIRGF65A40D0
AUIRGF65A40D0

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

DISCRETES

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CooliRIGBT™
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): -
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: -
  • 전력-최대: -
  • 에너지 전환: -
  • 입력 유형: -
  • 게이트 차지: -
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -
  • 테스트 조건: -
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD
재고 있음2,064
STGW60H65DRF
STGW60H65DRF

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V 120A 420W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 420W
  • 에너지 전환: 940µJ (on), 1.06mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 217nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 85ns/178ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 19ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247
재고 있음1,140
STGWA80H65DFB
STGWA80H65DFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT BIPO 650V 80A TO247-3

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 120A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
  • 전력-최대: 469W
  • 에너지 전환: 2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 414nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 84ns/280ns
  • 테스트 조건: 400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 85ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247 Long Leads
재고 있음4,304
STGW50HF60SD
STGW50HF60SD

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 110A 284W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 284W
  • 에너지 전환: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/220ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 67ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음158,551
STGW50HF60S
STGW50HF60S

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 110A 284W TO247

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 110A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 130A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A
  • 전력-최대: 284W
  • 에너지 전환: 250µJ (on), 4.2mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 200nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 50ns/220ns
  • 테스트 조건: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음151,426
STGWT60H60DLFB
STGWT60H60DLFB

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 375W TO3P-3L

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 240A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A
  • 전력-최대: 375W
  • 에너지 전환: 626µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 306nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: -/160ns
  • 테스트 조건: 400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-3P
재고 있음4,458
FGB40N60SM
FGB40N60SM

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 80A 349W D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 120A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 349W
  • 에너지 전환: 870µJ (on), 260µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 119nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 12ns/92ns
  • 테스트 조건: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • 공급자 장치 패키지: TO-263AB (D²PAK)
재고 있음60,917
IRG4PSH71UDPBF
IRG4PSH71UDPBF

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 1200V 99A 350W SUPER247

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 99A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A
  • 전력-최대: 350W
  • 에너지 전환: 8.8mJ (on), 9.4mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 380nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 46ns/250ns
  • 테스트 조건: 960V, 70A, 5Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 110ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-274AA
  • 공급자 장치 패키지: SUPER-247™ (TO-274AA)
재고 있음2,610
STGWA40H120DF2
STGWA40H120DF2

STMicroelectronics

트랜지스터-IGBT-단일

TRENCH GATE IGBT TO247 PKG

  • 제조업체: STMicroelectronics
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 1200V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 80A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 160A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
  • 전력-최대: 468W
  • 에너지 전환: 1mJ (on), 1.32mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 158nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 18ns/152ns
  • 테스트 조건: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 488ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-3
재고 있음3,040
AUIRGP4062D
AUIRGP4062D

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 24A 250W TO-247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 48A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 250W
  • 에너지 전환: 115µJ (on), 600µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 50nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 41ns/104ns
  • 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 89ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AC
재고 있음5,124
AUIRGF66524D0
AUIRGF66524D0

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 60A 214W TO-247AC

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: -
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 214W
  • 에너지 전환: 915µJ (on), 280µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 80nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 30ns/75ns
  • 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 176ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-247AD
재고 있음2,372
FGH75T65SQDNL4
FGH75T65SQDNL4

ON Semiconductor

트랜지스터-IGBT-단일

650V/75 FAST IGBT FSIII T

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench Field Stop
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 200A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 200A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
  • 전력-최대: 375W
  • 에너지 전환: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 152nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 44ns/208ns
  • 테스트 조건: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 134ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-4
  • 공급자 장치 패키지: TO-247-4L
재고 있음1,241
AUIRGB4062D1
AUIRGB4062D1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 600V 59A 246W TO-220AB

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: -
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 600V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): 59A
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 72A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 1.77V @ 15V, 24A
  • 전력-최대: 246W
  • 에너지 전환: 532µJ (on), 311µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 77nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 19ns/90ns
  • 테스트 조건: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): 102ns
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-220-3
  • 공급자 장치 패키지: TO-220AB
재고 있음3,054
AIGW50N65F5XKSA1
AIGW50N65F5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-IGBT-단일

IGBT 650V TO247-3

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, Trenchstop™ 5
  • IGBT 유형: Trench
  • 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 650V
  • 전류-수집기 (Ic) (최대): -
  • 전류-수집기 펄스 (Icm): 150A
  • Vce (on) (최대) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
  • 전력-최대: 270W
  • 에너지 전환: 490µJ (on), 140µJ (off)
  • 입력 유형: Standard
  • 게이트 차지: 1018nC
  • Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C: 21ns/156ns
  • 테스트 조건: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
  • 역 복구 시간 (trr): -
  • 작동 온도: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
재고 있음2,073