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IXXH60N65B4H1

IXXH60N65B4H1

참조 용

부품 번호 IXXH60N65B4H1
PNEDA 부품 번호 IXXH60N65B4H1
설명 IGBT 650V 116A 380W TO247AD
제조업체 IXYS
단가
1 ---------- $113.4390
50 ---------- $108.1215
100 ---------- $102.8041
200 ---------- $97.4866
400 ---------- $93.0554
500 ---------- $88.6242
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IXXH60N65B4H1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXXH60N65B4H1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXXH60N65B4H1, IXXH60N65B4H1 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 225.15 KB)
PDFIXXH60N65B4H1 데이터 시트 표지
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  • IXXH60N65B4H1 Distributor

IXXH60N65B4H1 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX4™, XPT™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)116A
전류-수집기 펄스 (Icm)230A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 60A
전력-최대380W
에너지 전환3.13mJ (on), 1.15mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지95nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C37ns/145ns
테스트 조건400V, 60A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)150ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 (IXXH)

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

95nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/90ns

테스트 조건

400V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

STGW50HF60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

전력-최대

284W

에너지 전환

250µJ (on), 4.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/220ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

67ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTB35N65FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

840µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

125nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

72ns/132ns

테스트 조건

400V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

68ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

FGH40N120ANTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

417W

에너지 전환

2.3mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/110ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

129A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 25A

전력-최대

337W

에너지 전환

875µJ (on), 425µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

116nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/82ns

테스트 조건

600V, 25A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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