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NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG

참조 용

부품 번호 NGTB50N65FL2WG
PNEDA 부품 번호 NGTB50N65FL2WG
설명 IGBT 600V 50A TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $71.3006
50 ---------- $67.9584
100 ---------- $64.6162
200 ---------- $61.2740
400 ---------- $58.4888
500 ---------- $55.7036
재고 있음 1,024
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NGTB50N65FL2WG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB50N65FL2WG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB50N65FL2WG, NGTB50N65FL2WG 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 211.38 KB)
PDFNGTB50N65FL2WG 데이터 시트 표지
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  • NGTB50N65FL2WG Distributor

NGTB50N65FL2WG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
전력-최대417W
에너지 전환1.5mJ (on), 460µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지220nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C100ns/237ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)94ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

22A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 4A

전력-최대

63W

에너지 전환

73µJ (on), 47µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

12nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/100ns

테스트 조건

400V, 4A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

93ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

500A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 100A

전력-최대

1700W

에너지 전환

2.7mJ (on), 3.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

585nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/250ns

테스트 조건

480V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

제조업체

IXYS

시리즈

XPT™, GenX3™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

320A

전류-수집기 펄스 (Icm)

800A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전력-최대

1500W

에너지 전환

9.7mJ (on), 21.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

400nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/340ns

테스트 조건

960V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

54ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

NGTB40N120IHLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

320A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 40A

전력-최대

260W

에너지 전환

1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/360ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

전력-최대

225W

에너지 전환

310µJ (on), 1.14mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

166nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/390ns

테스트 조건

300V, 30A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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