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FGH75T65SQDT-F155

FGH75T65SQDT-F155

참조 용

부품 번호 FGH75T65SQDT-F155
PNEDA 부품 번호 FGH75T65SQDT-F155
설명 650V 75A FS4 TRENCH IGBT
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $63.1892
100 ---------- $60.2273
250 ---------- $57.2653
500 ---------- $54.3033
750 ---------- $51.8349
1,000 ---------- $49.3666
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH75T65SQDT-F155 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH75T65SQDT-F155
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH75T65SQDT-F155, FGH75T65SQDT-F155 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 800.11 KB)
PDFFGH75T65SQDT-F155 데이터 시트 표지
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  • FGH75T65SQDT-F155 Distributor

FGH75T65SQDT-F155 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)150A
전류-수집기 펄스 (Icm)300A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
전력-최대375W
에너지 전환300µJ (on), 70µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지128nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C23ns/120ns
테스트 조건400V, 18.8A, 4.7Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)76ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

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14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

32W

에너지 전환

81µJ (on), 125µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

53nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/90ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

제조업체

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시리즈

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

840µJ (on), 660µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/130ns

테스트 조건

480V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

전력-최대

225W

에너지 전환

310µJ (on), 1.14mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

166nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/390ns

테스트 조건

300V, 30A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTB30N60FLWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

250W

에너지 전환

700µJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

83ns/170ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

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-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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테스트 조건

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역 복구 시간 (trr)

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