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IXGH48N60B3

IXGH48N60B3

참조 용

부품 번호 IXGH48N60B3
PNEDA 부품 번호 IXGH48N60B3
설명 IGBT 600V 300W TO247AD
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,670
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH48N60B3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH48N60B3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH48N60B3, IXGH48N60B3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 223.19 KB)
PDFIXGA48N60B3 데이터 시트 표지
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IXGH48N60B3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)280A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 32A
전력-최대300W
에너지 전환840µJ (on), 660µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지115nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C22ns/130ns
테스트 조건480V, 30A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

IRG7PH42UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

전력-최대

320W

에너지 전환

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

157nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/229ns

테스트 조건

600V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

153ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

125A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 55A

전력-최대

460W

에너지 전환

5.1mJ (on), 13.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

185nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/365ns

테스트 조건

960V, 55A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

APT15GN120BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 15A

전력-최대

195W

에너지 전환

410µJ (on), 950µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/150ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

NGTB50N65S1WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

140A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.25mJ (on), 530µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

128nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

75ns/128ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

31.8µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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