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STGY50NC60WD

STGY50NC60WD

참조 용

부품 번호 STGY50NC60WD
PNEDA 부품 번호 STGY50NC60WD
설명 IGBT 600V 110A 278W MAX247
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $50.2532
100 ---------- $47.8976
250 ---------- $45.5419
500 ---------- $43.1863
750 ---------- $41.2233
1,000 ---------- $39.2603
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STGY50NC60WD 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGY50NC60WD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGY50NC60WD, STGY50NC60WD 데이터 시트 (총 페이지: 14, 크기: 552.91 KB)
PDFSTGY50NC60WD 데이터 시트 표지
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STGY50NC60WD 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈PowerMESH™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)110A
전류-수집기 펄스 (Icm)180A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 40A
전력-최대278W
에너지 전환365µJ (on), 560µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지195nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C52ns/240ns
테스트 조건390V, 40A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)55ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지MAX247™

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

234W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/120ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IRG4BC20SD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전류-수집기 펄스 (Icm)

38A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

320µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/690ns

테스트 조건

480V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IRGIB4630DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

47A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

전력-최대

206W

에너지 전환

95µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/105ns

테스트 조건

400V, 18A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220 Full Pack

APT64GA90LD30

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

193A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A

전력-최대

500W

에너지 전환

1192µJ (on), 1088µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

162nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/131ns

테스트 조건

600V, 38A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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