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STGW80V60DF

STGW80V60DF

참조 용

부품 번호 STGW80V60DF
PNEDA 부품 번호 STGW80V60DF
설명 IGBT 600V 120A 469W TO247
제조업체 STMicroelectronics
단가
1 ---------- $71.1662
50 ---------- $67.8303
100 ---------- $64.4944
200 ---------- $61.1585
400 ---------- $58.3785
500 ---------- $55.5986
재고 있음 146
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STGW80V60DF 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW80V60DF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW80V60DF, STGW80V60DF 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,597.43 KB)
PDFSTGWT80V60DF 데이터 시트 표지
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STGW80V60DF 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)240A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 80A
전력-최대469W
에너지 전환1.8mJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지448nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/220ns
테스트 조건400V, 80A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)60ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3 Exposed Pad
공급자 장치 패키지TO-247

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제조업체

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시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

400W

에너지 전환

380µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

138nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/115ns

테스트 조건

480V, 40A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

GT8G133(TE12L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 150A

전력-최대

600mW

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.7µs/2µs

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NGD8205NT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

IXGL75N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 75A

전력-최대

430W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

FGH40T65SHD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.01mJ (on), 297µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.2ns/65.6ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

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