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FGL35N120FTDTU

FGL35N120FTDTU

참조 용

부품 번호 FGL35N120FTDTU
PNEDA 부품 번호 FGL35N120FTDTU
설명 IGBT 1200V 70A 368W TO264
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $73.1528
50 ---------- $69.7237
100 ---------- $66.2947
200 ---------- $62.8657
400 ---------- $60.0081
500 ---------- $57.1506
재고 있음 461
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FGL35N120FTDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGL35N120FTDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGL35N120FTDTU, FGL35N120FTDTU 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 656.19 KB)
PDFFGL35N120FTDTU 데이터 시트 표지
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FGL35N120FTDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)70A
전류-수집기 펄스 (Icm)105A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 35A
전력-최대368W
에너지 전환2.5mJ (on), 1.7mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지210nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C34ns/172ns
테스트 조건600V, 35A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)337ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-264-3, TO-264AA
공급자 장치 패키지TO-264-3

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제조업체

IXYS

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

전력-최대

160W

에너지 전환

240µJ (on), 110µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/77ns

테스트 조건

400V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

RGT50NL65DGTL

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

194W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/88ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

LPDS

IXGP20N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

6.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

63nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/400ns

테스트 조건

800V, 20A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGA15N120FTDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 15A

전력-최대

220W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

575ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

IRGC4061B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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