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RGT50NL65DGTL

RGT50NL65DGTL

참조 용

부품 번호 RGT50NL65DGTL
PNEDA 부품 번호 RGT50NL65DGTL
설명 FIELD STOP TRENCH IGBT
제조업체 Rohm Semiconductor
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재고 있음 20,772
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RGT50NL65DGTL 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGT50NL65DGTL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGT50NL65DGTL 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)48A
전류-수집기 펄스 (Icm)75A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 25A
전력-최대194W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지49nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/88ns
테스트 조건400V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)58ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지LPDS

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

283W

에너지 전환

363µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/142ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

RJP60D0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 22A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

45nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/90ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

IRGP4063D1-EPBF

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

192A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.14V @ 15V, 48A

전력-최대

330W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

150nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/160ns

테스트 조건

400V, 48A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

FGA15N120ANTDTU-F109

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT and Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

전력-최대

186W

에너지 전환

3mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

600V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

RJH60F4DPK-00#T0

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IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 30A

전력-최대

235.8W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/85ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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