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RJP60D0DPM-00#T1

RJP60D0DPM-00#T1

참조 용

부품 번호 RJP60D0DPM-00#T1
PNEDA 부품 번호 RJP60D0DPM-00-T1
설명 IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM
제조업체 Renesas Electronics America
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

RJP60D0DPM-00#T1 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJP60D0DPM-00#T1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJP60D0DPM-00#T1 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 22A
전력-최대40W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지45nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C35ns/90ns
테스트 조건300V, 22A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3PFM, SC-93-3
공급자 장치 패키지TO-3PFM

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

8.5A

전류-수집기 펄스 (Icm)

34A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

140µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/87ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGD3325G2-F085V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

250V

전류-수집기 (Ic) (최대)

41A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.25V @ 4V, 6A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

800ns/5.1µs

테스트 조건

5V, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

1.2µs

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

TO-252, (D-Pak)

RGW60TS65GC11

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

178W

에너지 전환

480µJ (on), 490µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

37ns/114ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

IGB50N65H5ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

전력-최대

270W

에너지 전환

1.59mJ (on), 750µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/173ns

테스트 조건

400V, 50A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

89nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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테스트 조건

720V, 32A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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