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FGPF7N60RUFDTU

FGPF7N60RUFDTU

참조 용

부품 번호 FGPF7N60RUFDTU
PNEDA 부품 번호 FGPF7N60RUFDTU
설명 IGBT 600V 14A 41W TO220F
제조업체 ON Semiconductor
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGPF7N60RUFDTU 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGPF7N60RUFDTU
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGPF7N60RUFDTU, FGPF7N60RUFDTU 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 910.22 KB)
PDFFGPF7N60RUFDTU 데이터 시트 표지
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FGPF7N60RUFDTU 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)14A
전류-수집기 펄스 (Icm)21A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.8V @ 15V, 7A
전력-최대41W
에너지 전환230µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C60ns/60ns
테스트 조건300V, 7A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)65ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지TO-220F

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제조업체

Global Power Technologies Group

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

480W

에너지 전환

5.3mJ (on), 1.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

480nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

55ns/200ns

테스트 조건

600V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/145ns

테스트 조건

300V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

IGC36T120T8LX1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 35A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS264™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS264™

HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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