HGT1S10N120BNS
참조 용
| 부품 번호 | HGT1S10N120BNS |
| PNEDA 부품 번호 | HGT1S10N120BNS |
| 설명 | IGBT 1200V 35A 298W TO263AB |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,172 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 22 - 1월 27 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HGT1S10N120BNS 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HGT1S10N120BNS |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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HGT1S10N120BNS 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | NPT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1200V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 35A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 80A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| 전력-최대 | 298W |
| 에너지 전환 | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 100nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 23ns/165ns |
| 테스트 조건 | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | - |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 140A 전류-수집기 펄스 (Icm) 225A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 75A 전력-최대 483W 에너지 전환 2.4mJ (on), 2.2mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 140nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 85ns/222ns 테스트 조건 400V, 75A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 90ns 작동 온도 -40°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247AD |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - IGBT 유형 Trench 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 35A 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 17A 전력-최대 40W 에너지 전환 200µJ (on), 210µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 37nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 35ns/80ns 테스트 조건 300V, 17A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 100ns 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220FL |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic - 전력-최대 - 에너지 전환 - 입력 유형 - 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
