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FGA15N120ANTDTU-F109

FGA15N120ANTDTU-F109

참조 용

부품 번호 FGA15N120ANTDTU-F109
PNEDA 부품 번호 FGA15N120ANTDTU-F109
설명 IGBT 1200V 30A 186W TO3P
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 11,616
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA15N120ANTDTU-F109 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA15N120ANTDTU-F109
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA15N120ANTDTU-F109, FGA15N120ANTDTU-F109 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 901.77 KB)
PDFFGA15N120ANTDTU-F109 데이터 시트 표지
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FGA15N120ANTDTU-F109 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형NPT and Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 15A
전력-최대186W
에너지 전환3mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지120nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C15ns/160ns
테스트 조건600V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)330ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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제조업체

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 4.5V, 7A

전력-최대

25W

에너지 전환

4.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

16nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1.1µs/5.2µs

테스트 조건

480V, 7A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

HGT1S12N60A4DS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

96A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 50µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/96ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

30ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

NGTB10N60FG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 10A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

55nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/145ns

테스트 조건

300V, 10A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F-3FS

APT75GN60B2DQ3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

155A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A

전력-최대

536W

에너지 전환

2500µJ (on), 2140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

485nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

47ns/385ns

테스트 조건

400V, 75A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 39A

전력-최대

200W

에너지 전환

370µJ (on), 2.1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

190nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/240ns

테스트 조건

480V, 39A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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