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FGA30N65SMD

FGA30N65SMD

참조 용

부품 번호 FGA30N65SMD
PNEDA 부품 번호 FGA30N65SMD
설명 IGBT 650V 60A 300W TO3P-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 30 - 12월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGA30N65SMD 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGA30N65SMD
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGA30N65SMD, FGA30N65SMD 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 1,285.73 KB)
PDFFGA30N65SMD 데이터 시트 표지
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FGA30N65SMD 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)90A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 30A
전력-최대300W
에너지 전환716µJ (on), 208µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지87nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14ns/102ns
테스트 조건400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)35ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3PN

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

47A

전류-수집기 펄스 (Icm)

54A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 18A

전력-최대

206W

에너지 전환

95µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

35nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/105ns

테스트 조건

400V, 18A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

IRG4BC20UDSTRLP

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

13A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGF10NB60SD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 10A

전력-최대

25W

에너지 전환

600µJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

33nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

700ns/1.2µs

테스트 조건

480V, 10A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

64A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 32A

전력-최대

300W

에너지 전환

2.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

89nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/260ns

테스트 조건

720V, 32A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

AOT20B65M1

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

Alpha IGBT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 20A

전력-최대

227W

에너지 전환

470µJ (on), 270µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/122ns

테스트 조건

400V, 20A, 15Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

322ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

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