HGT1S12N60A4DS
참조 용
| 부품 번호 | HGT1S12N60A4DS |
| PNEDA 부품 번호 | HGT1S12N60A4DS |
| 설명 | IGBT 600V 54A 167W D2PAK |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,916 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HGT1S12N60A4DS 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HGT1S12N60A4DS |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
| 데이터 시트 |
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HGT1S12N60A4DS 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| IGBT 유형 | - |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 54A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 96A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
| 전력-최대 | 167W |
| 에너지 전환 | 55µJ (on), 50µJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 78nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 17ns/96ns |
| 테스트 조건 | 390V, 12A, 10Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 30ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급자 장치 패키지 | TO-263AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 NPT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 40A 전류-수집기 펄스 (Icm) 80A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 20A 전력-최대 215W 에너지 전환 95µJ (on), 100µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 68nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/115ns 테스트 조건 390V, 13A, 10Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 28ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220AB |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전류-수집기 펄스 (Icm) - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic - 전력-최대 - 에너지 전환 - 입력 유형 - 게이트 차지 - Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C - 테스트 조건 - 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
