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HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

참조 용

부품 번호 HGT1S12N60A4DS
PNEDA 부품 번호 HGT1S12N60A4DS
설명 IGBT 600V 54A 167W D2PAK
제조업체 ON Semiconductor
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재고 있음 2,916
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 15 - 6월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

HGT1S12N60A4DS 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호HGT1S12N60A4DS
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
HGT1S12N60A4DS, HGT1S12N60A4DS 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 580.48 KB)
PDFHGT1S12N60A4DS 데이터 시트 표지
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  • HGT1S12N60A4DS Distributor

HGT1S12N60A4DS 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)54A
전류-수집기 펄스 (Icm)96A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C17ns/96ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)30ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263AB

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

535W

에너지 전환

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

311nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

118ns/282ns

테스트 조건

600V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

256ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

IRGB20B60PD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

215W

에너지 전환

95µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/115ns

테스트 조건

390V, 13A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

IGC18T120T8QX1SA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.42V @ 15V, 15A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRG7PK42UD1PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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