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FGH30N6S2

FGH30N6S2

참조 용

부품 번호 FGH30N6S2
PNEDA 부품 번호 FGH30N6S2
설명 IGBT 600V 45A 167W TO247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 2,790
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FGH30N6S2 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FGH30N6S2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
FGH30N6S2, FGH30N6S2 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 281.66 KB)
PDFFGB30N6S2DT 데이터 시트 표지
FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 2 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 3 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 4 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 5 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 6 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 7 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 8 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 9 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 10 FGB30N6S2DT 데이터 시트 페이지 11

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FGH30N6S2 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)108A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 12A
전력-최대167W
에너지 전환55µJ (on), 100µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지23nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C6ns/40ns
테스트 조건390V, 12A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 25A

전력-최대

200W

에너지 전환

5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

130nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

100ns/500ns

테스트 조건

800V, 25A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

101A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

795µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/90ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IRGP4640DPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

89ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 32A

전력-최대

400W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/160ns

테스트 조건

1250V, 32A, 2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1500ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

AFGB40T65SQDN

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

238W

에너지 전환

858µJ (on), 229µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

76nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17.6ns/75.2ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

131ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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D²PAK-3 (TO-263-3)

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TS30013-M050QFNR

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IC REG BUCK 5V 3A 16QFN