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APTM10UM01FAG

APTM10UM01FAG

참조 용

부품 번호 APTM10UM01FAG
PNEDA 부품 번호 APTM10UM01FAG
설명 MOSFET N-CH 100V 860A SP6
제조업체 Microsemi
단가
1 ---------- $1,061.6573
50 ---------- $1,011.8922
100 ---------- $962.1270
200 ---------- $912.3618
400 ---------- $870.8908
500 ---------- $829.4198
재고 있음 177
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM10UM01FAG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM10UM01FAG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • APTM10UM01FAG Supplier

  • Microsemi Distributor
  • APTM10UM01FAG Price
  • APTM10UM01FAG Distributor

APTM10UM01FAG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)860A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.6mOhm @ 275A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 12mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2100nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds60000pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2500W (Tc)
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
공급자 장치 패키지SP6
패키지 / 케이스SP6

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12.5A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 5V

Vgs (최대)

±25V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2409pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

30-BGA (4x3.5)

패키지 / 케이스

30-WFBGA

IXTQ30N50L

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

500V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

200mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10200pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

400W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-3P

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

NVMFS5830NLWFT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

29A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5880pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 158W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

IRFH4210DTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

44A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.1mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

77nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4812pF @ 13V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.5W (Ta), 125W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PQFN (5x6)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

FDD6682

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2400pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

71W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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