1517-110M
참조 용
| 부품 번호 | 1517-110M |
| PNEDA 부품 번호 | 1517-110M |
| 설명 | RF TRANS NPN 70V 1.65GHZ 55AW-1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,498 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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1517-110M 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | 1517-110M |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-양극 (BJT)-RF |
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- 1517-110M Distributor
1517-110M 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | NPN |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 70V |
| 주파수-전환 | 1.48GHz ~ 1.65GHz |
| 노이즈 지수 (dB Typ @ f) | - |
| 이득 | 7.3dB ~ 8.6dB |
| 전력-최대 | 350W |
| DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce | 20 @ 1A, 5V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 9A |
| 작동 온도 | - |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | 55AW-1 |
| 공급자 장치 패키지 | 55AW-1 |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - 트랜지스터 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 주파수-전환 - 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 - 전력-최대 - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 9.5V 주파수-전환 900MHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) - 이득 8dB 전력-최대 2W DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V 전류-수집기 (Ic) (최대) 500mA 작동 온도 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-261-4, TO-261AA 공급자 장치 패키지 SOT-223 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 NPN 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 12V 주파수-전환 7.5GHz 노이즈 지수 (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 이득 12.5dB ~ 19dB 전력-최대 700mW DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V 전류-수집기 (Ic) (최대) 150mA 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지 PG-SOT343-4 |
