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1N3019BUR-1

1N3019BUR-1

참조 용

부품 번호 1N3019BUR-1
PNEDA 부품 번호 1N3019BUR-1
설명 DIODE ZENER 9.1V 1W DO213AB
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,016
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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1N3019BUR-1 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N3019BUR-1
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N3019BUR-1, 1N3019BUR-1 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 135.99 KB)
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1N3019BUR-1 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)9.1V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)6 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 6.9V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-55°C ~ 175°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DO-213AB, MELF
공급자 장치 패키지DO-213AB

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전력-최대

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25 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 16V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC

BZX384B2V7-G3-18

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.7V

공차

±2%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

20nA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-76, SOD-323

공급자 장치 패키지

SOD-323

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Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.4V

공차

±3%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AG, DO-34, Axial

공급자 장치 패키지

MSD

UDZVTE-1733B

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

33V

공차

-

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

250 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100nA @ 25V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-90, SOD-323F

공급자 장치 패키지

UMD2

1N827A-1

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

5.89V

공차

±5%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 3V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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