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1N4120

1N4120

참조 용

부품 번호 1N4120
PNEDA 부품 번호 1N4120
설명 ZENER DIODE
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,096
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4120 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4120
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4120 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈*
전압-제너 (Nom) (Vz)-
공차-
전력-최대-
임피던스 (최대) (Zzt)-
전류-역방향 누설 @ Vr-
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

5.1V

공차

±5%

전력-최대

225mW

임피던스 (최대) (Zzt)

17 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3 (TO-236)

BZD27C12PHMQG

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

Automotive, AEC-Q101

전압-제너 (Nom) (Vz)

12.05V

공차

±5.39%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

7 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

3µA @ 9.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-219AB

공급자 장치 패키지

Sub SMA

1SMB5942 M4G

Taiwan Semiconductor Corporation

제조업체

Taiwan Semiconductor Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

51V

공차

±5%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 38.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AA, SMB

공급자 장치 패키지

DO-214AA (SMB)

NZ9F3V0T5G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±5%

전력-최대

200mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-65°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOD-923

공급자 장치 패키지

SOD-923

1PMT5944E3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

62V

공차

±20%

전력-최대

3W

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

1µA @ 47.1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-216AA

공급자 장치 패키지

DO-216AA

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