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1N4749A R1G

1N4749A R1G

참조 용

부품 번호 1N4749A R1G
PNEDA 부품 번호 1N4749A-R1G
설명 DIODE ZENER 24V 1W DO204AL
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation
단가 견적 요청
재고 있음 4,320
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N4749A R1G 리소스

브랜드 Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N4749A R1G
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일

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1N4749A R1G 사양

제조업체Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)24V
공차±5%
전력-최대1W
임피던스 (최대) (Zzt)25 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr5µA @ 18.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AL, DO-41, Axial
공급자 장치 패키지DO-204AL (DO-41)

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전압-제너 (Nom) (Vz)

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공차

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전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

20 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 6V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AH, DO-35, Axial

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/117

전압-제너 (Nom) (Vz)

36V

공차

±2%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

70 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

500nA @ 27V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AA (Glass)

공급자 장치 패키지

DO-213AA

PTZTE2520B

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

20.8V

공차

±6%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

14 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 15V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

PMDS

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

3.3V

공차

±5%

전력-최대

1W

임피던스 (최대) (Zzt)

10 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

SMAJ4479CE3/TR13

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

39V

공차

±2%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

30 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 31.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.2V @ 200mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-214AC, SMA

공급자 장치 패키지

DO-214AC (SMAJ)

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