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1N5262B_T50R

1N5262B_T50R

참조 용

부품 번호 1N5262B_T50R
PNEDA 부품 번호 1N5262B_T50R
설명 DIODE ZENER 51V 500MW DO35
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,114
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 2 - 12월 7 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N5262B_T50R 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N5262B_T50R
분류반도체다이오드 및 정류기제너 다이오드-단일
데이터 시트
1N5262B_T50R, 1N5262B_T50R 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 307.56 KB)
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1N5262B_T50R 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
전압-제너 (Nom) (Vz)51V
공차±5%
전력-최대500mW
임피던스 (최대) (Zzt)125 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr100nA @ 39V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.2V @ 200mA
작동 온도-65°C ~ 200°C
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스DO-204AH, DO-35, Axial
공급자 장치 패키지DO-35

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36V

공차

±1%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

27 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

50nA @ 28.8V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

DO-204AL, DO-41, Axial

공급자 장치 패키지

DO-41

CZRUR52C2V2

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제조업체

Comchip Technology

시리즈

-

전압-제너 (Nom) (Vz)

2.2V

공차

±5%

전력-최대

150mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

100µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

900mV @ 10mA

작동 온도

-55°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/533

전압-제너 (Nom) (Vz)

3V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

29 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

30µA @ 1V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.4V @ 1A

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, B

공급자 장치 패키지

B, SQ-MELF

JANTXV1N4491US

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Military, MIL-PRF-19500/406

전압-제너 (Nom) (Vz)

120V

공차

±5%

전력-최대

1.5W

임피던스 (최대) (Zzt)

400 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

250nA @ 96V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SQ-MELF, A

공급자 장치 패키지

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Microsemi

제조업체

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시리즈

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전압-제너 (Nom) (Vz)

28V

공차

±1%

전력-최대

500mW

임피던스 (최대) (Zzt)

100 Ohms

전류-역방향 누설 @ Vr

10nA @ 25.2V

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 200mA

작동 온도

-65°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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