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1N8028-GA

1N8028-GA

참조 용

부품 번호 1N8028-GA
PNEDA 부품 번호 1N8028-GA
설명 DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 17 - 11월 22 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1N8028-GA 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1N8028-GA
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-싱글
데이터 시트
1N8028-GA, 1N8028-GA 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 613.04 KB)
PDF1N8028-GA 데이터 시트 표지
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  • 1N8028-GA Distributor

1N8028-GA 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 유형Silicon Carbide Schottky
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io)9.4A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If1.6V @ 10A
속도No Recovery Time > 500mA (Io)
역 복구 시간 (trr)0ns
전류-역방향 누설 @ Vr20µA @ 1200V
커패시턴스 @ Vr, F884pF @ 1V, 1MHz
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-257-3
공급자 장치 패키지TO-257
작동 온도-접합-55°C ~ 250°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

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Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

50V

전류-평균 정류 (Io)

1A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.1V @ 1A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

5µA @ 50V

커패시턴스 @ Vr, F

15pF @ 4V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

DO-213AB, MELF

공급자 장치 패키지

MELF

작동 온도-접합

-65°C ~ 150°C

SDM02U30CSP-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

30V

전류-평균 정류 (Io)

200mA

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

500mV @ 200mA

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 30V

커패시턴스 @ Vr, F

9pF @ 0.5V, 1MHz

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

2-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

X3-WLB0603-2

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

SDURF830

SMC Diode Solutions

제조업체

SMC Diode Solutions

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

300V

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.3V @ 8A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

45ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 300V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

공급자 장치 패키지

ITO-220AC

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

S2KW8C-2N

Semtech

제조업체

Semtech Corporation

시리즈

-

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

8000V

전류-평균 정류 (Io)

6A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

8V @ 6A

속도

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

2µs

전류-역방향 누설 @ Vr

2µA @ 8000V

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

-

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

1N3295

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

*

다이오드 유형

-

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

장착 유형

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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