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1SV307(TPH3,F)

1SV307(TPH3,F)

참조 용

부품 번호 1SV307(TPH3,F)
PNEDA 부품 번호 1SV307-TPH3-F
설명 RF DIODE STANDARD 30V USC
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가
1 ---------- $32.0714
100 ---------- $30.5681
250 ---------- $29.0647
500 ---------- $27.5614
750 ---------- $26.3086
1,000 ---------- $25.0558
재고 있음 319
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

1SV307(TPH3 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호1SV307(TPH3,F)
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF

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  • Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
  • 1SV307(TPH3,F) Price
  • 1SV307(TPH3,F) Distributor

1SV307(TPH3 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
다이오드 유형Standard - Single
전압-피크 역방향 (최대)30V
현재-최대50mA
커패시턴스 @ Vr, F0.5pF @ 1V, 1MHz
저항 @ If, F1.5Ohm @ 10mA, 100MHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지USC

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현재-최대

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커패시턴스 @ Vr, F

2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

35Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.4pF @ 50V, 1MHz

저항 @ If, F

3Ohm @ 100mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

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커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

18Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

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100V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

2.5Ohm @ 5mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

BAR 63-03W E6433

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

50V

현재-최대

100mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.3pF @ 5V, 1MHz

저항 @ If, F

1Ohm @ 10mA, 100MHz

전력 손실 (최대)

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

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