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2N3820

2N3820

참조 용

부품 번호 2N3820
PNEDA 부품 번호 2N3820_105
설명 JFET P-CH 20V 300MA 360MW TO92
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가
1 ---------- $3.0049
250 ---------- $2.8641
500 ---------- $2.7232
1,000 ---------- $2.5824
2,500 ---------- $2.4650
5,000 ---------- $2.3476
재고 있음 7,510
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2N3820 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N3820
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N3820, 2N3820 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 209.96 KB)
PDF2N3820 데이터 시트 표지
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  • 2N3820 Distributor

2N3820 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)20V
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)300mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id8V @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds32pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대360mW
작동 온도-65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

50 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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ON Semiconductor

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 15V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

350mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

500mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

160pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

3 Ohms

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

300 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 15V

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