BSR58,215
참조 용
| 부품 번호 | BSR58,215 |
| PNEDA 부품 번호 | BSR58-215 |
| 설명 | JFET N-CH 40V 250MW SOT23 |
| 제조업체 | NXP |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,768 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSR58 리소스
| 브랜드 | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSR58,215 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-JFET |
| 데이터 시트 |
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BSR58 사양
| 제조업체 | NXP USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 전압-항복 (V (BR) GSS) | 40V |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 8mA @ 15V |
| 전류 드레인 (Id)-최대 | - |
| 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id | 800mV @ 0.5nA |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | - |
| 저항-RDS (켜짐) | 60 Ohms |
| 전력-최대 | 250mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-23 (TO-236AB) |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 22V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 12mA @ 5V 전류 드레인 (Id)-최대 50mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 0V @ 10µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9pF @ 5V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지 3-MPAK |
제조업체 NXP USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 40V 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 500mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 100 Ohms 전력-최대 400mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) 25V 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 30mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대 - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 1V @ 3nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐) 10 Ohms 전력-최대 350mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지 TO-92-3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대 10mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 180mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4pF @ 10V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 30mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 3-USFP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS) - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 210µA @ 2V 전류 드레인 (Id)-최대 1mA 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id 100mV @ 1µA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5pF @ 2V 저항-RDS (켜짐) - 전력-최대 100mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 3-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 VTFP |
