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2N4392

2N4392

참조 용

부품 번호 2N4392
PNEDA 부품 번호 2N4392
설명 JFET N-CH 40V 1.8W TO-18
제조업체 Central Semiconductor Corp
단가
1 ---------- $5.7119
250 ---------- $5.4441
500 ---------- $5.1764
1,000 ---------- $4.9086
2,500 ---------- $4.6855
5,000 ---------- $4.4624
재고 있음 7,764
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2N4392 리소스

브랜드 Central Semiconductor Corp
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N4392
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2N4392, 2N4392 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 449.47 KB)
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  • 2N4392 Distributor

2N4392 사양

제조업체Central Semiconductor Corp
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)40V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐)60 Ohms
전력-최대1.8W
작동 온도-65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-18

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N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

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55V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

30mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 10µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6.5pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

125mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 0.5nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

20mA @ 5V

전류 드레인 (Id)-최대

50mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 100µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 5V

저항-RDS (켜짐)

78 mOhms

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

25V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

4V @ 3nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

30pF @ 0V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AC, TO-52-3 Metal Can

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Microsemi

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

8mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

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80 Ohms

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