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2SK2593JQL

2SK2593JQL

참조 용

부품 번호 2SK2593JQL
PNEDA 부품 번호 2SK2593JQL
설명 JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3
제조업체 Panasonic Electronic Components
단가 견적 요청
재고 있음 4,572
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2SK2593JQL 리소스

브랜드 Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2SK2593JQL
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
2SK2593JQL, 2SK2593JQL 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 177.23 KB)
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  • 2SK2593JQL Distributor

2SK2593JQL 사양

제조업체Panasonic Electronic Components
시리즈-
FET 유형N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)55V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대30mA
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id5V @ 10µA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds6.5pF @ 10V
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대125mW
작동 온도125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스SC-89, SOT-490
공급자 장치 패키지SSMini3-F1

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Central Semiconductor Corp

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전압-항복 (V (BR) GSS)

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

150mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

100pA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

10V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

1.8W

작동 온도

-65°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6pF @ 15V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

공급자 장치 패키지

TO-72

PN4091

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

5V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

16pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

30 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

800mV @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8pF @ 10V (VGS)

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