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PMBFJ177,215

PMBFJ177,215

참조 용

부품 번호 PMBFJ177,215
PNEDA 부품 번호 PMBFJ177-215
설명 JFET P-CH 30V 0.3W SOT23
제조업체 NXP
단가
1 ---------- $2.4138
250 ---------- $2.3007
500 ---------- $2.1875
1,000 ---------- $2.0744
2,500 ---------- $1.9801
5,000 ---------- $1.8858
재고 있음 119,293
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PMBFJ177 리소스

브랜드 NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호PMBFJ177,215
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
PMBFJ177, PMBFJ177 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 165.27 KB)
PDFPMBFJ175 데이터 시트 표지
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PMBFJ177 사양

제조업체NXP USA Inc.
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)1.5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id800mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds8pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐)300 Ohms
전력-최대300mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23 (TO-236AB)

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제조업체

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5µA @ 1200V

전류 드레인 (Id)-최대

26A

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1550pF @ 19.5V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

100 mOhms

전력-최대

190W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

2N5639G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

35V

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

25mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 12V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

60 Ohms

전력-최대

310mW

작동 온도

-65°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14pF @ 20V

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23 (TO-236AB)

MMBFJ175

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

225mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23-3

JANTX2N4857

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제조업체

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시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

100mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

6V @ 500pA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

18pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

40 Ohms

전력-최대

360mW

작동 온도

-65°C ~ 200°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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