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MMBFJ175

MMBFJ175

참조 용

부품 번호 MMBFJ175
PNEDA 부품 번호 MMBFJ175
설명 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
제조업체 ON Semiconductor
단가
1 ---------- $0.8325
500 ---------- $0.7935
1,000 ---------- $0.7545
2,500 ---------- $0.7154
5,000 ---------- $0.6829
10,000 ---------- $0.6504
재고 있음 17,531
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MMBFJ175 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MMBFJ175
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET
데이터 시트
MMBFJ175, MMBFJ175 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 335.99 KB)
PDFMMBFJ175 데이터 시트 표지
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MMBFJ175 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS)30V
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)7mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)125 Ohms
전력-최대225mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지SOT-23-3

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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ON Semiconductor

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시리즈

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

30µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

600mV @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

350mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.2mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

10mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

180mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

30mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

3-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

3-USFP

2SK208-GR(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

50V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2.6mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

6.5mA

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

400mV @ 100nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8.2pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

-

전력-최대

100mW

작동 온도

125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SC-59

MMBFJ175LT1

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

30V

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

7mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

3V @ 10nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11pF @ 10V (VGS)

저항-RDS (켜짐)

125 Ohms

전력-최대

225mW

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