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2N5115JTXV02

2N5115JTXV02

참조 용

부품 번호 2N5115JTXV02
PNEDA 부품 번호 2N5115JTXV02
설명 JFET P-CH 30V TO-18
제조업체 Vishay Siliconix
단가 견적 요청
재고 있음 8,334
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5115JTXV02 리소스

브랜드 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5115JTXV02
분류반도체트랜지스터트랜지스터-JFET

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2N5115JTXV02 사양

제조업체Vishay Siliconix
시리즈-
FET 유형-
전압-항복 (V (BR) GSS)-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)-
전류 드레인 (Id)-최대-
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
저항-RDS (켜짐)-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지TO-206AA (TO-18)

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-

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

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전류 드레인 (Id)-최대

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-

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30 Ohms

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

2mA @ 15V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

500mV @ 1µA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

저항-RDS (켜짐)

100 Ohms

전력-최대

625mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

MMBF4118

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제조업체

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FET 유형

N-Channel

전압-항복 (V (BR) GSS)

40V

드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

80µA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1nA

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 10V

저항-RDS (켜짐)

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전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0)

12mA @ 10V

전류 드레인 (Id)-최대

-

전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id

1V @ 1µA

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